[实用新型]一种功率半导体芯片测试单元有效

专利信息
申请号: 201621073265.5 申请日: 2016-09-22
公开(公告)号: CN206161787U 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 邓二平;李现兵;张朋;温家良 申请(专利权)人: 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司;华北电力大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司11271 代理人: 徐国文
地址: 102209 北京市昌平*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 半导体 芯片 测试 单元
【权利要求书】:

1.一种功率半导体芯片测试单元,其特征在于,所述测试单元包括集电极(1)、被测芯片子模组(2)、PCB板(3)、固定框架(4)和发射极(5);

所述集电极(1)和发射极(5)的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽(11)和发射极限位凹槽(51),所述固定框架(4)的内部侧壁上设置有限位凸台(42);

所述集电极(1)、被测芯片子模组(2)、PCB板(3)和发射极(5)顺次叠放在所述固定框架(4)内,且所述限位凸台(42)嵌入在所述集电极限位凹槽(11)和发射极限位凹槽(51)内。

2.如权利要求1所述的一种功率半导体芯片测试单元,其特征在于,所述测试单元还包括散热器;所述散热器分别固定在所述集电极(1)的上表面和所述发射极(5)的下表面;

所述集电极(1)的上表面设置有集电极定位凹槽(12),用于嵌入所述散热器的定位销;

所述发射极(5)的下表面设置有发射极定位凹槽(52),用于嵌入所述散热器的定位销。

3.如权利要求1所述的一种功率半导体芯片测试单元,其特征在于,所述被测芯片子模组(2)包括集电极侧钼片(21)、功率半导体芯片(22)、发射极侧钼片(23)、垫片(24)和塑料框架(25);

所述集电极侧钼片(21)、功率半导体芯片(22)、发射极侧钼片(23)和垫片(24)顺次叠放在所述塑料框架(25)内;

所述集电极侧钼片(21)与所述集电极(1)直接接触,所述垫片(24)与所述发射极(5)直接接触。

4.如权利要求3所述的一种功率半导体芯片测试单元,其特征在于,所述被测芯片子模组(2)还包括弹簧引针(26);

所述塑料框架(25)包括一个弹簧引针通道(27);所述弹簧引针(26)设置在弹簧引针通道(27)内,弹簧引针(26)的一端与所述功率半导体芯片(22)的门极直接接触,另一端与所述PCB板(3)直接接触。

5.如权利要求1所述的一种功率半导体芯片测试单元,其特征在于,所述PCB板(3)上焊接有一个引线端子(31),所述固定框架(4)的侧壁上还设置有预留窗口(41);

所述引线端子(31)与所述预留窗口(41)相对应,所述被测芯片子模组(2)的驱动信号线通过所述预留窗口(41)与所述引线端子(31)连接。

6.如权利要求1所述的一种功率半导体芯片测试单元,其特征在于,

所述固定框架(4)为环氧树脂框架。

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