[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：

第1导电型的第1半导体区域；

第2导电型的第2半导体区域，其配置在所述第1半导体区域上；

第1导电型的第3半导体区域，其配置在所述第2半导体区域上；

内壁绝缘膜，其配置在槽的内壁，该槽从所述第3半导体区域的上表面延伸并贯通所述第3半导体区域和所述第2半导体区域；

控制电极，其与所述第2半导体区域的侧面对置地配置在所述槽的侧面的所述内壁绝缘膜上；

底面电极，其与所述控制电极绝缘分离地配置在所述槽的底面的所述内壁绝缘膜上；以及

层间绝缘膜，其将所述控制电极和所述底面电极之间绝缘，

所述控制电极在所述槽的角部侧的端部延伸到比所述第1半导体区域和所述第2半导体区域的界面与所述槽的侧面相交的位置低的位置，

所述控制电极在所述底面电极侧的端部比所述底面电极在所述控制电极侧的上表面的位置高，

所述半导体装置具有如下的所述控制电极的下表面，该下表面连接所述控制电极在所述槽的角部侧的端部和所述控制电极在所述底面电极侧的端部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极在所述底面电极侧的所述下表面的至少一部分缺失。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极的所述下表面以如下方式形成为楔面：所述控制电极的所述下表面与所述槽的所述底面之间的距离随着接近所述槽的所述侧面而变短。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电极在所述槽的角部侧的所述端部的高度为所述底面电极在所述控制电极侧的下表面的高度以上。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

从所述控制电极在所述底面电极侧的所述端部到所述槽的所述底面的距离、比从所述底面电极的所述下表面到所述槽的所述底面的距离长，

从所述控制电极在所述槽的角部侧的所述端部到所述槽的所述底面的距离、为从所述底面电极的所述下表面到所述槽的所述底面的距离以上。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述底面电极的下表面和所述控制电极在所述槽的角部侧的所述端部之间的距离、比所述底面电极在所述控制电极侧的上表面和所述控制电极在所述底面电极侧的所述端部之间的距离长。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述底面电极为如下的梯形状：所述底面电极的膜厚随着接近所述槽的所述侧面而变薄。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

从所述底面电极的所述下表面到所述槽的所述底面的距离在所述底面电极的所述下表面中，在中央区域比在周边区域长。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视观察时，所述槽的延伸方向上的长度比所述槽的宽度长，而且所述槽的宽度比相邻的所述槽的间隔宽。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述内壁绝缘膜的膜厚在被配置于所述槽的所述底面的区域中、比被配置于所述槽的所述侧面的区域厚。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述控制电极的所述下表面的整个面中，从所述控制电极的所述下表面到所述槽的所述底面的距离、比从所述底面电极的所述下表面到所述槽的所述底面的距离长。