[实用新型]内置IC的集成功率场效应管

说明书

技术领域

本实用新型属于电学领域，涉及一种内置IC的集成功率场效应管。

背景技术

目前市场上LED的运用相当广泛，由于LED是特性敏感的半导体器件，又具有负温度特性，因而在应用过程中需要对其进行稳定工作状态和保护，从而产生了驱动的概念。LED器件对驱动电源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白炽灯泡，可以直接连接220V的交流市电。LED是2～3伏的低电压驱动，必须要设计复杂的变换电路，不同用途的LED灯，要配备不同的电源适配器。国际市场上国外客户对LED驱动电源的效率转换、有效功率、恒流精度、电源寿命、电磁兼容的要求都非常高，设计一款好的电源必须要综合考虑这些因数，因为电源在整个灯具中的作用就好比像人的心脏一样重要。而LED驱动器中最重要的驱动元件除了变压器以外，就是功率MOS FET和集成IC了。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其低栅极驱动功率、快速切换速度以及出色的并联性能等特性，常被用于功率器件。

然而，LED驱动器虽然现广泛应用但是也会存在电流、电压难以完好匹配的问题，尤其是MOSFET管和集成IC的电参片匹配度不一定完全同步，会导致电路元件的损坏，MOSFET管和集成IC如图1所示分开设置。在选用前，两者需要经过很严格的参数筛选，筛选过程繁琐，而且可能还是会出错，导致MOSFET管和集成IC电参片仍然不同步。另一方面，MOSFET管的芯片并未完全利用起来，MOSFET管的芯片材料被浪费掉。

实用新型内容

本实用新型意在提供一种内置IC的集成功率场效应管，以解决MOSFET管和IC电参片匹配不精确的问题。

为了达到上述目的，本实用新型的基础方案提供一种内置IC的集成功率场效应管，将IC芯片置于MOSFET内部。

基础方案的原理和有益效果在于：将IC芯片置于MOSFET内部，这样在封装和测试MOSFET时，测试系统自动筛选掉参数匹配不精确的产品，这样能够有效地保证LED驱动电源中MOSFET与集成IC电参数的精确匹配。

优选方案一：此方案为基础方案的优选，所述MOSFET管芯片上设有直接通过光刻得到的IC芯片电路。

本方案的原理和有益效果在于， 提供一种简单可行结构，将集成IC芯片的电路直接光刻到MOSFET管的内部，实现IC芯片和MOSFET管的一体化，两个元件变成了一个元件，生产成本降低，结构更加紧凑，电路板的体积也会变小，也会节约成本，同时MOSFET的封装和测试都会更加简单；另外，一体化有利于电路的优化，减少的电路中的能耗，集成后的MOSFET电流密度更高，电参数更集中。因为一体成型，加工时不容易出现MOSFET管和IC电参片不匹配的问题，而且一体的结构再测试时精确度更高，达到了优化电路和降低成本的效果。

优选方案二：作为优选方案一的优选，MOSFET的衬底的材料为100晶面的Si晶体。

本方案提供了一种衬底的材料，即可以在上面加工MOSFET管，也能在上面光刻IC芯片。

优选方案三：作为优选方案一的优选，还包括直接光刻在MOSFET板芯片上的导线，所述导线连接所述IC芯片的引脚与对应的MOSFET管引脚。

本方案的原理和有益效果在于，将连接MOSFET管引脚与IC芯片引脚的导线也用光刻的方式设置在MOSFET芯片上，进一步增加了产品的整体性，使结构更加紧凑，没有多余的需要人工连接的导线，减小出错的概率。

优选方案四：作为优选方案一的优选，还包括封壳、第一引脚、第二引脚、第三引脚和散热片，所述散热片固定安装在封壳一侧面，安装散热片封壳侧面的对侧面上固定安装有第一引脚、第二引脚与第三引脚，所述第一引脚和第三引脚弯折，第一引脚弯折处与水平面的角度为30-45度，第三引脚弯折处与水平面的角度为30-45度。

本方案的原理和有益效果在于，散热片设置在与有第一引脚、第二引脚与第三引脚对侧的封壳侧面上，用于对封壳内电极的散热，避免发热损坏。第一引脚向下弯折与第三引脚向下弯折，30-45度能够保证MOSFET管能够良好的焊接，若小于30度，可能会与其他元件干扰，扰乱元件工作，若大于45度，整个三极管容易形成立式安装，焊接的时候稳定性不好。

优选方案五：作为优选方案一的优选，还包括封壳，所述封壳内部为装有酒精的腔体，封壳上方有网状管道，所述网状管道与腔体连通。