[实用新型]内置IC的集成功率场效应管有效
| 申请号： | 201620985505.2 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN206163484U | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 魏广乾 | 申请（专利权）人： | 重庆凯西驿电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L29/78;H01L23/367;H01L23/46 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙)50217 | 代理人： | 蒙捷 |
| 地址： | 401147 重庆市渝北*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内置 ic 集成 功率 场效应 | ||
【权利要求书】：
1.一种内置IC的集成功率场效应管，包括MOSFET管，其特征在于，还包括IC芯片，IC芯片置于MOSFET内部，所述MOSFET管的芯片上光刻有IC芯片的电路；还包括直接光刻在MOSFET板芯片上的导线，所述导线连接所述IC芯片的引脚与对应的MOSFET管引脚。
2.如权利要求1所述的内置IC的集成功率场效应管，其特征在于，MOSFET的衬底的材料为100晶面的Si晶体。
3.如权利要求1所述的内置IC的集成功率场效应管，其特征在于，还包括封壳、第一引脚、第二引脚、第三引脚和散热片，所述散热片固定安装在封壳一侧面，安装散热片封壳侧面的对侧面上固定安装有第一引脚、第二引脚与第三引脚，所述第一引脚和第三引脚弯折，第一引脚弯折处与水平面的角度为30-45度，第三引脚弯折处与水平面的角度为30-45度。
4.如权利要求1所述的内置IC的集成功率场效应管，其特征在于，还包括封壳，所述封壳内部为装有酒精的腔体，封壳上方有网状管道，所述网状管道与腔体连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆凯西驿电子科技有限公司，未经重庆凯西驿电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620985505.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低音增强处理电路及终端设备
- 下一篇：级联配置的器件与半导体元件
- 同类专利
- 专利分类
