[实用新型]一种新型栅结构的GaN基HEMT器件有效
| 申请号： | 201620846582.X | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN205920974U | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李宝国;马京路;韩威;张书敬;张达泉;孙丞;杨荣 | 申请（专利权）人： | 苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 黄杭飞 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 gan hemt 器件 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司，未经苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201620846582.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
