[实用新型]一种氮化镓基发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201620135443.6 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN205385038U | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 李健富 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，自下至上依次包括：衬底、形核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型III族氮化物叠层；
所述P型III族氮化物叠层由P型GaN层和P型InxGa1-xN层依次交替层叠而成，其中，x＝0.01-0.3。
2.如权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，所述P型GaN层和/或P型InxGa1-xN层的厚度为20-1000nm。
3.如权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，所述衬底的材质为蓝宝石、Si、SiC、GaN、ZnO、LiGaO2、LaSrAlTaO6、Al和Cu中的一种。
4.如权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，所述多量子阱有源区由y个多量子阱势垒层和y-1个多量子阱势阱层依次交替层叠而成，所述y为大于2的整数。
5.如权利要求4所述的氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，所述多量子阱势垒层的材料为GaN、InGaN、AlGaN和AlInGaN中的一种。
6.如权利要求4所述的氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，所述多量子阱势阱层的材料为InGaN。
7.如权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为AlGaN、InAlN或AlInGaN。
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