[发明专利]一种电子设备、阵列基板及其制作方法在审
| 申请号: | 201611247170.5 | 申请日: | 2016-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN106773406A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
| 发明(设计)人: | 叶岩溪 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1339 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 钟子敏 |
| 地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电子设备 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
基层;
至少第一色阻层、第二色阻层,并排设置于所述基层一侧;
遮光层,设置于所述第一色阻层和/或所述第二色阻层的背对所述基层一侧;
凸块,背向所述基层而凸起所述第一色阻层,并设置于所述遮光层与所述第一色阻层之间,和/或背向所述基层而凸起所述第二色阻层,并设置于所述遮光层与所述第二色阻层之间,使得所述凸块之上的所述遮光层跟随凸起以形成间隔柱。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸块至少包括第一凸块、第二凸块;
所述第一凸块、第二凸块同高,且两者之上的遮光层分别采用不同光线通过率的光罩蚀刻而成;或
所述第一凸块、第二凸块不同高,且两者之上的遮光层分别采用相同光线通过率的光罩蚀刻而成。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述不同光线通过率的光罩为具有不同透光率区域的同一光罩。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板进一步包括:设置于所述遮光层与所述基层之间的平坦钝化层,所述凸块位于所述平坦钝化层与所述第一色阻层和/或所述第二色阻层之间。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层沿着所述第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸,同时也沿着所述第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸;或
所述遮光层仅沿着所述第一色阻层、第二色阻层的排列方向条状延伸,所述阵列基板包括像素电极以及沿着所述第一色阻层、第二色阻层之间的分界线条状延伸的阵列公共电极,所述阵列公共电极与所述像素电极同层设置,且电压与对基板上的公共电极相同。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,凸起所述第一色阻层的所述凸块与所述第二色阻层同材料形成;或
凸起所述第二色阻层的所述凸块与所述第一色阻层同材料形成。
7.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至6中任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在基层一侧形成并排设置的至少第一色阻层、第二色阻层,并形成背向所述基层而凸起所述第一色阻层,和/或背向所述基层而凸起所述第二色阻层的凸块;
在所述第一色阻层和/或所述第二色阻层的背对所述基层一侧形成遮光层,使得所述凸块之上的所述遮光层跟随凸起以形成间隔柱。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述形成背向所述基层而凸起所述第一色阻层,和/或背向所述基层而凸起所述第二色阻层的凸块的步骤包括:
形成背向所述基层而凸起所述第一色阻层,和背向所述基层而凸起所述第二色阻层的至少第一凸块及第二凸块,所述第一凸块与第二凸块同高或不同高;
所述在所述第一色阻层和/或所述第二色阻层的背对所述基层一侧形成遮光层的步骤包括:
在所述基板设有所述第一色阻层及第二色阻层的一侧形成遮光光阻层;
对于所述第一凸块、第二凸块同高的情况,通过光罩照射所述遮光光阻层,所述光罩分别对应所述第一凸块、第二凸块的区域光线通过率不同;或
对于所述第一凸块、第二凸块不同高的情况,通过光罩照射所述遮光光阻层,所述光罩分别对应所述第一凸块、第二凸块的区域光线通过率相同。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述在基层一侧形成并排设置的至少第一色阻层、第二色阻层,并形成背向所述基层而凸起所述第一色阻层,和/或背向所述基层而凸起所述第二色阻层的凸块的步骤包括:
在形成所述第二色阻层的同时,留下一部分覆盖所述第一色阻层的所述第二色阻层而获得所述凸块;或
在形成所述第一色阻层的同时,留下一部分覆盖所述第二色阻层的所述第一色阻层而获得所述凸块。
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