[发明专利]一种深紫外LED封装器件及其制备方法

权利要求书

1.深紫外LED封装器件，其特征在于：

包括有金属基板、深紫外芯片、光学元件、中间绝缘层和第一金属共晶键合层；

所述金属基板的正极区域和负极区域通过所述中间绝缘层分隔；

所述深紫外芯片固定于所述金属基板上，且所述深紫外芯片与所述金属基板的正极区域、负极区域电连接；

所述光学元件通过所述第一金属共晶键合层固定于所述金属基板上，所述光学元件将所述深紫外芯片完全包裹；

所述金属基板为平面型金属基板；

所述光学元件的外表面呈多层阶梯式结构，且所述光学元件的外表面设有粗化微结构层；

还包括有SiO₂绝缘层；所述SiO₂绝缘层覆盖于所述中间绝缘层的内表面。

2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：还包括有第二金属共晶键合层；所述深紫外芯片通过所述第二金属共晶键合层固定于所述金属基板上。

3.根据权利要求2所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：所述深紫外芯片为垂直芯片；所述第二金属共晶键合层位于所述金属基板的负极区域上；所述垂直芯片通过所述第二共晶金属键合层与所述金属基板的负极区域电连接，所述垂直芯片通过金线与所述金属基板的正极区域电连接。

4.根据权利要求2所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：所述深紫外芯片为倒装芯片；所述金属基板的正极区域和负极区域均设有所述第二金属共晶键合层，所述倒装芯片通过所述第二金属共晶键合层与所述金属基板的正极区域、负极区域电连接。

5.根据权利要求1～4任一项所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：所述金属基板为平面型金属铜片；所述中间绝缘层由SMC材质制成；所述光学元件由无机透明材质制成。

6.一种如权利要求1～4任一项所述的深紫外LED封装器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将金属基板分割成正极区域和负极区域，按相邻所述金属基板的正负极摆放顺序相反的方式对多个所述金属基板进行阵列排布；

S2：在各所述金属基板的正极区域和负极区域之间填充中间绝缘层；

S3：在各所述金属基板的上表面安装固定深紫外芯片，且使各所述深紫外芯片与对应的所述金属基板的正极区域、负极区域电连接；

S4：选取光学元件，先在各所述金属基板的上表面制作第一金属共晶键合层，然后光学元件通过所述第一金属共晶键合层以共晶键合方式固定于所述金属基板上，且使各所述深紫外芯片均被所述光学元件完全包裹；

S5：切割成单颗LED器件，测试、包装。

7.根据权利要求6所述的深紫外LED封装器件的制备方法，其特征在于：在所述步骤S2之后、所述步骤S3之前，在所述中间绝缘层的上表面覆盖制作SiO₂绝缘层。

8.根据权利要求6或7所述的深紫外LED封装器件的制备方法，其特征在于：在所述步骤S3中，先在各所述金属基板的上表面制作第二金属共晶键合层，然后各所述深紫外芯片通过所述第二金属共晶键合层以共晶键合方式安装固定于所述金属基板上。