[发明专利]一种显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种显示面板，包括显示区域，其特征在于，在栅极信号线位于所述显示区域的起始部分和结束部分，包括：

第一金属层，图案化后形成所述栅极信号线；

第二金属层，图案化后形成与所述栅极信号线构成电容的对应电极线；

中间绝缘层，设置在所述第一金属层与第二金属层之间，构成所述栅极信号线与对应电极线之间的绝缘层；

其上设置有所述第一金属层的栅极绝缘层；

其上设置有所述栅极绝缘层的多晶硅层，并且所述多晶硅层经图案化后形成多晶硅电阻；

其中，所述第一金属层的栅极信号线通过所述栅极绝缘层的过孔与所述多晶硅电阻的一端电性连接，所述第二金属层的对应电极线通过所述中间绝缘层和栅极绝缘层的过孔与所述多晶硅电阻的另一端电性连接；

平坦有机层，其沉积在所述第二金属层上；

像素电极层，其沉积在所述平坦有机层上；

其中，所述像素电极层通过所述平坦有机层的过孔与所述对应电极线电性连接；

其中，所述对应电极线用以释放所述栅极信号线上的多余电荷。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述对应电极线与栅极信号线之间的击穿电压小于所述显示面板中由于所述栅极信号线上的多余电荷而导致内部器件击穿的击穿电压。

3.一种如权利要求1或2所述的显示面板的制作方法，其特征在于：

首先在与所述显示面板垂直的方向上依次沉积多晶硅层和栅极绝缘层，然后才在所述栅极绝缘层上依次沉积所述第一金属层、中间绝缘层和第二金属层；

在所述第二金属层上依次沉积平坦有机层和像素电极层；

其中，所述多晶硅层经图案化后形成多晶硅电阻，并且

在沉积所述第一金属层时，所述第一金属层的栅极信号线通过所述栅极绝缘层的一个过孔沉积在所述多晶硅层的一端上；

在沉积所述第二金属层时，所述第二金属层的对应电极线通过所述中间绝缘层的过孔和所述栅极绝缘层的另一过孔沉积在所述多晶硅电阻的另一端上；

在沉积所述像素电极层时，所述像素电极层的一部分通过所述平坦有机层的过孔沉积在所述第二金属层的对应电极线上；

其中，所述第一金属层图案化以形成栅极信号线，所述第二金属层图案化以形成与所述栅极信号线构成电容的对应电极线，用以释放所述栅极信号线上的多余电荷。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于：

所述中间绝缘层配置成，使得所述对应电极线与栅极信号线之间的击穿电压小于所述显示面板中由于所述栅极信号线上的多余电荷而导致内部器件击穿的击穿电压。