[发明专利]一种TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备方法有效
| 申请号： | 201611207278.1 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106747408B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 赵敬忠;张成果;胡陈艳;罗磊 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01C7/115 | 分类号： | H01C7/115;C04B35/46;C04B35/634 |
| 代理公司： | 61214 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 常娥<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压敏陶瓷 制备 压敏陶瓷材料 热处理 混合粉体 素坯 晶粒 高度降低 浓度增大 清洗烘干 湿式球磨 数目增加 压敏电压 制备工艺 烧结 研磨 晶格氧 氧空位 聚酯 低氧 放入 分压 挥发 减薄 炉冷 排胶 势垒 造粒 打磨 压制 简易 | ||
1.一种TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，将TiO2、Nb2O5和Bi2O3混合后放入聚酯罐中，进行湿式球磨，然后经过干燥、研磨，得到混合粉体；
步骤2，将步骤1的混合粉体进行造粒，然后压制，得到素坯；
步骤3，将步骤2得到的素坯经排胶后进行烧结，炉冷至室温，得到TiO2压敏陶瓷；
步骤3中排胶是将素坯在550℃～600℃的马弗炉中排胶1.5h～2h；
步骤3中烧结是将排胶后的素坯以埋烧的方式置于电炉中，以4℃/min～6℃/min的升温速率升温至1360℃～1410℃，保温2.5h～4h；
步骤4，将步骤3得到的TiO2压敏陶瓷进行打磨，清洗烘干后进行热处理，得到TiO2基低压压敏陶瓷材料；
步骤4中热处理是于真空管式炉内进行，在H2气氛环境或真空气氛环境下，以4℃/min～6℃/min的升温速率升温至500℃～600℃，保温3h后以10℃/min的速率降温至200℃，然后随炉冷却。
2.根据权利要求1所述的TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤1中TiO2，Nb2O5，Bi2O3的质量比为120～301：1：1.75～3.5。
3.根据权利要求1所述的TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤1中TiO2的粒度为200nm～300nm。
4.根据权利要求1所述的TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤1中湿式球磨的具体方式如下：
将混合原料与氧化锆球及无水乙醇以质量比为1:1:1.5的比例置于聚酯罐中，以350r/min～450r/min的转速球磨8～12h。
5.根据权利要求1～4任一所述的TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤1中干燥是于烘箱中进行，烘干温度为60℃～70℃，烘干时间为10h～14h。
6.根据权利要求1所述的TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤2中向混合粉体中逐滴加入质量分数为5％的PVA溶液，过20目筛造粒，然后用塑料袋密封放置24h，再压制成型，得到素坯。
7.根据权利要求1所述的TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，当于H2气氛环境中处理时，氧分压为10-2Pa；当于真空气氛环境中处理时，氧分压为10-4Pa。
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