[发明专利]一种薄膜晶体管精细掩模板的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.准备一个基底层，在该基底层的表面从下至上依次制备薄膜晶体管的金属栅极、介电层和半导体层；

S2.在半导体层表面铺设精细掩模板，该精细掩模板通过纤维将金属薄板上的镂空部分平均分割为相邻两块区域；

S3.在精细掩模板表面进行镀膜工艺，由于精细掩模板中金属薄板的镂空部分被纤维分割为两块区域，因此在半导体层表面同时制备出源极和漏极，所述源极和漏极之间由于纤维的遮挡形成微纳米沟道，其中，所述纤维与下方的半导体层不接触；

S4.将所述半导体层表面的精细掩模板去除，即制得薄膜晶体管；

其中，所述精细掩模板的制备方法如下：

1).准备一金属薄板，在该金属薄板上刻蚀多个镂空图案，上述镂空图案呈阵列化分布，从而制备出镂空金属薄板；

2).制备静电纺丝溶液，用于纺制亚微米级的纤维；

3).采用步骤S2中制备的静电纺丝溶液在步骤S1中制得的金属薄板上纺制亚微米级的纤维，纺出的单根纤维横跨金属薄板的镂空部分，将金属薄板的镂空部分平均分割为相邻两块区域；

4).待纤维在金属薄板上固化后，即得到由金属薄板和纤维构成的用于制备薄膜晶体管的精细掩模板。

2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属薄板上的镂空图案采用激光切割工艺刻蚀而成。

3.如权利要求1或2所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述纤维采用静电纺丝方法制备，所述纺丝溶液为有机聚合物溶液，制得的纤维直径范围为50nm～30μm。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体层为有机半导体层。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述基底层为非柔性基底或柔性基底。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镀膜工艺为溅射或蒸镀工艺。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述源极与漏极之间微纳米沟道的宽度略小于纤维直径。