[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括：第一基板；位于第一基板第一侧的多条扫描线；覆盖扫描线的第一绝缘层；位于第一绝缘层背离扫描线一侧的多条数据线，多条数据线与多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，子像素区域包括开口区和包围开口区的遮光区；其中，第一绝缘层对应遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，第一绝缘层对应开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构，该阵列基板制成显示面板时，可避免由于氮化硅层的刻蚀过程难以控制而导致各子像素区域中开口区的第一绝缘层厚度不均现象，从而缓解色偏现象，提高显示质量，同时提高显示亮度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、包括该阵列基板的显示面板以及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板的应用越来越广泛，已逐渐成为人们生活和工作必不可少的重要工具。

目前显示面板通常包括：交叉且绝缘设置的多条数据线和多条扫描线，多条数据线和多条扫描线限定出多个子像素区域；位于所述数据线和所述扫描线之间的层间绝缘层；与各子像素区域一一对应的薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接，源极与数据线电连接，从而使得该薄膜晶体管可以在扫描线的控制下，将数据线中的信号传输给各子像素，控制各子像素区域的显示。

需要说明的是，为了保证数据线和扫描线之间的良好电绝缘性，现有显示面板中，该层间绝缘层通常包括氮化硅层，具体制作时，主要是通过先形成一较厚的氮化硅层，再通过刻蚀将该氮化硅层刻蚀至预设厚度，但是，由于氮化硅层的刻蚀速率较快，使得其刻蚀过程难以精确控制，从而导致各子像素处的层间绝缘层厚度不均，造成在同一背光下，各子像素的显示颜色不完全相同，使得所述显示面板存在色偏现象，显示质量有待提高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及包括该阵列基板的显示面板，以改善该显示面板的色偏现象，提高显示质量。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种阵列基板，包括：

第一基板；

位于所述第一基板第一侧的多条扫描线；

覆盖所述扫描线的第一绝缘层；

位于所述第一绝缘层背离所述扫描线一侧的多条数据线，所述多条数据线与所述多条扫描线交叉设置限定出多个子像素区域，所述子像素区域包括开口区和包围所述开口区的遮光区；

其中，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分为包括至少一层氧化硅层和至少一层氮化硅层的堆叠结构，所述第一绝缘层对应所述开口区的部分为包括至少一层氧化硅层的氧化硅层结构。

可选的，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括一层所述氧化硅层和一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。

可选的，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氧化硅层和位于所述两层所述氧化硅层之间的一层所述氮化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括两层所述氧化硅层。

可选的，所述第一绝缘层对应所述遮光区的部分包括两层所述氮化硅层和位于所述两层所述氮化硅层之间的一层所述氧化硅层；所述第一绝缘层对应所述开口区的部分包括一层所述氧化硅层。

可选的，所述第一绝缘层各处的厚度取值范围为300-900nm，包括端点值；一层所述氧化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值；一层所述氮化硅层的厚度取值范围为100-600nm，包括端点值。

可选的，所述阵列基板还包括：