[发明专利]一种半导体器件的散热板的除胶方法及除胶装置有效
申请号: | 201611183633.6 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN106876282B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 江一汉;梁鈺華;曹周 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 523750 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 散热 方法 装置 | ||
本发明公开了一种半导体器件的散热板的除胶方法及除胶装置。除胶方法包括以下步骤:S1:将半导体器件置于化学溶液中浸泡使得散热板表面的溢胶软化;S2:使用旋转毛刷将所述散热板表面的软化后溢胶刷除。由于溢胶已经被软化,即使溢胶非常严重,旋转毛刷也可以快速地清除溢胶,且由于溢胶已经软化,因此,旋转毛刷采用普通毛刷即可,不需要使用耐磨的专用毛刷,节约成本,也不会对散热板的表面产生磨损,省时省力,提高工作效率。
技术领域
本发明涉及半导体的技术领域,尤其涉及一种半导体器件的散热板的除胶方法及除胶装置。
背景技术
半导体引线框架在使用环氧树脂封装后,有些产品由于设计问题,会有溢胶残留在引线脚和散热片上,需要在后续的镀锡之前去除干净。去除溢胶方法目前主要是化学溶液浸泡法(Chemical Deflush)、电解法(Electrolisis Deflush)和机械法(MichenicalDeflush)。机械法因采用的喷射介质会损伤基材现在已很少采用。电解法主要是通过在散热板表面电解产生气体将溢胶和散热板的表面分离,当电解电压或电流过高会损伤芯片造成分层,并且对某些严重的溢胶也无法去除。化学溶液浸泡法通过化学溶液和溢胶之间的化学作用使溢胶溶解或软化松动,再结合后续的高压水刀喷淋,可以干净彻底的除去溢胶,是目前行业除溢胶的主流方法。
但是当溢胶比较严重时,化学溶液浸泡软胶后,水刀也无法将比较严重的溢胶清除掉,仍然会有残留,影响产品的性能,此时往往只能通过人工使用刮板等继续刮除,劳动强度大且效率低下。
申请号为“200610022335.9”的对比文件公开了一种清除半导体元器件上残胶的方法及设备,其利用刀具将半导体器件的残胶进行切除,再利用含金刚沙耐磨抛光专用毛刷清除剩余的残胶。从对比文件的描述可以看出,其主要是上下冲裁切除半导体侧面的毛边的残胶,无法针对散热板的残胶进行清除,且利用刀具强行清除有可能会损坏到半导体元器件本身,且含金刚沙耐磨抛光专用毛刷清除剩余的残胶时是相当于一个打磨的过程,将表面的残胶磨掉,直接对固态的残胶打磨不仅效率低下,且可能对半导体器件产生伤害。
发明内容
本发明的第一目的在于提出一种半导体器件的散热板的除胶方法,可以方便的清除散热板表面的溢胶,省时省力。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种半导体器件的散热板的除胶方法,包括以下步骤:
S1:将半导体器件置于化学溶液中浸泡使得散热板表面的溢胶软化;
S2:使用旋转毛刷将所述散热板表面的软化后溢胶刷除。
进一步的,所述步骤S2之后还包括:
S3:使用高压水刀将所述散热板的表面的残胶清除。
进一步的,在所述步骤S3之后还包括:
步骤S4:将所述半导体器件进行电镀。
本发明的第二目的在于提出一种半导体器件的散热板的除胶装置,可以方便的清除散热板表面的溢胶,省时省力。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种半导体器件的散热板的除胶装置,包括:浸泡池、旋转毛刷机构以及将半导体器件从浸泡池运输到旋转毛刷机构的运输机构,所述浸泡池中容置有用于软化溢胶的化学溶液,所述旋转毛刷机构包括用于清除软化后的溢胶的毛刷。
进一步的,所述旋转毛刷机构还包括用于驱动所述毛刷旋转的驱动机构和固定所述半导体器件的固定件,所述固定件可移动,以使得所述散热板的表面的不同位置接触所述毛刷。
进一步的,所述旋转毛刷机构还包括碎屑收集板,所述碎屑收集板的端部位于所述毛刷的刷毛的旋转区域内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造