[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201611179282.1 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106711299B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吉亚莉;万林;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 插入层 外延片 超晶格结构 电子阻挡层 发光二极管 蓝宝石 交替层叠 衬底 半导体技术领域 未掺杂GaN层 半导体表面 多量子阱层 全反射定律 外量子效率 出光效率 粗糙表面 改变方向 空气界面 依次层叠 成核层 缓冲层 全反射 散射 透射 制作 粗糙 | ||
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述电子阻挡层和所述P型层之间的插入层，所述插入层为交替层叠的MgN层和P型掺杂的GaN层组成的超晶格结构，所述P型层为P型掺杂的GaN层，所述插入层的厚度大于所述P型层的厚度，所述插入层中P型掺杂剂的掺杂浓度大于所述P型层中P型掺杂剂的浓度，所述P型层具有所述MgN层进行表面处理获得的粗糙表面。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述插入层的厚度小于100nm。
3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，各层所述P型掺杂的GaN层中P型掺杂剂的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向逐层增多。
4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，各层所述P型掺杂的GaN层中P型掺杂剂的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向逐层减少。
5.一种发光二极管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、插入层、P型层；
其中，所述插入层为交替层叠的MgN层和P型掺杂的GaN层组成的超晶格结构，所述P型层为P型掺杂的GaN层，所述插入层的厚度大于所述P型层的厚度，所述插入层中P型掺杂剂的掺杂浓度大于所述P型层中P型掺杂剂的浓度，所述P型层具有所述MgN层进行表面处理获得的粗糙表面。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述插入层的生长温度低于所述P型层的生长温度。
7.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述插入层中的P型掺杂的GaN层的生长压力为100~900torr。
8.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述MgN层的生长压力为300~900torr。
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