[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在器件晶圆上形成第一钝化层、再分布线以及第一再分布焊盘和第二再分布焊盘；形成覆盖再分布线、第一再分布焊盘和第二再分布焊盘的第二钝化层和光刻胶层；对光刻胶层进行图形化，以形成用于暴露所述第一再分布焊盘的第一开口，和用于暴露所述第二再分布焊盘的第二开口；以光刻胶层为掩膜刻蚀第二钝化层，以暴露第一再分布焊盘表面，以及暴露第二再分布焊盘的表面和部分第二再分布焊盘侧壁，同时在第二再分布焊盘底部形成间隙壁。该半导体器件的制作方法可以克服目前的再分布焊盘制作工艺复杂，容易出现穿通的问题。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，进行芯片封装时，需要将芯片顶层的焊盘与引线框架上对应的焊盘或者引线对接，这样可以通过引线框架将与外部电路连接。其中，引线框架一般为标准模式，进行封装的芯片的焊盘位置与引线框架上的焊盘或者引线位置并不对应，因此需要对芯片顶层的焊盘进行再分布，使焊盘可以与引线框架上的焊盘或者引线电连接。如图1所示，在器件晶圆100上形成第一钝化层101，并在第一钝化层101中形成暴露下方金属层或初始焊盘的开口，示例性地第一钝化层101为复合层，其包括蚀刻停止层1010和钝化层1011。然后在第一钝化层上形成再分布线(RDL)和再分布焊盘，一般而言再分布焊盘包括用于与器件晶圆100中的金属互连层/初始焊盘电连接的第一再分布焊盘102A，以及用于加强与封装基板连接和平衡焊盘分布的虚设的第二再分布焊盘102B，然后形成覆盖再分布线(RDL)和再分布焊盘的第二钝化层103，并对第二钝化层103进行图形化以暴露再分布焊盘，其中，第一再分布焊盘102A仅暴露其表面而与第一再分布焊盘102A连接的再分布线则被第二钝化层覆盖，第二再分布焊盘102B不仅表面暴露，而且其部分侧壁也被暴露，这样在后续封装时，焊球可以从多个方向包裹第二再分布焊盘102B，从而使器件晶圆与封装基板实现更牢固的连接。

目前的再分布焊盘制作工艺中，为了形成上述第二再分布焊盘102B，当形成再分布线与再分布焊盘上，还需要进行第二钝化层沉积、光刻、刻蚀、光刻胶去除、毯式刻蚀(blanket etch)、湿法清洗等步骤，以去除第一再分布焊盘102A和第二再分布焊盘102B表面的钝化层，以及第二再分布焊盘102B部分侧壁上的钝化层，同时在第二再分布焊盘102B侧壁底部形成间隙壁，以保护第二再分布焊盘102B。这种制作工艺工序复杂，并且在进行毯式刻蚀时容易出现蚀刻停止层1010穿通(punch through)的问题，对下方器件造成损伤。

因此，需要提出一种改进的半导体器件及其制作方法，以至少部分地解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件及其制作方法，其可以克服目前的再分布焊盘制作工艺复杂，容易出现穿通的问题。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成第一钝化层，在所述第一钝化层上形成再分布线以及第一再分布焊盘和第二再分布焊盘；形成覆盖所述再分布线、第一再分布焊盘和第二再分布焊盘的第二钝化层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行图形化，以形成用于暴露所述第一再分布焊盘的第一开口，和用于暴露所述第二再分布焊盘的第二开口；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二钝化层，以在所述第二钝化层中形成暴露所述第一再分布焊盘表面的第三开口，以及暴露所述第二再分布焊盘的表面和部分所述第二再分布焊盘侧壁的第四开口，同时在所述第二再分布焊盘底部形成间隙壁。

进一步地，所述第二开口的尺寸满足下述要求：