[发明专利]存储器系统及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其包括多个平面；

命令处理单元，其配置为解码从外部控制器接收的外部命令，并且基于所解码的命令生成通过所述多个平面中的至少一个平面待执行的内部命令；

状态寄存器，其配置为根据执行所述内部命令的结果通过包括在所述外部命令中的标签来存储所述外部命令的状态信息；以及

读取/写入电路，其配置为包括分别对应于所述多个平面的多个页面缓冲器；

其中所述命令处理单元包括：

第一命令队列，其配置为存储所述外部命令；

解码单元，其配置为解码并且输出存储在所述第一命令队列中的所述外部命令；

第二命令队列，其配置为存储从所述解码单元输出的所解码的命令；以及

内部命令生成单元，其配置为监控所述第二命令队列并且生成用于所述至少一个平面的所述内部命令。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述外部命令包括用于所述存储器单元阵列的命令和所述标签。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中所述第二命令队列包括所述标签、平面地址、页面地址和命令。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中所述内部命令生成单元使用存储在所述第二命令队列中的所解码的命令生成用于多平面操作、多页面操作或单平面操作中的任意一个的所述内部命令。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中所述内部命令生成单元确定基于所解码的命令的多平面操作是否是可能的，并且如果所述多平面操作是可能的，则从所述第二命令队列中获取能够执行所述多平面操作的多个所解码的命令，并且生成单个多平面命令作为所述内部命令。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中所述内部命令生成单元确定基于所解码的命令的多页面操作是否是可能的，并且如果所述多页面操作是可能的，则从所述第二命令队列中获取能够执行所述多页面操作的多个所解码的命令，并且生成单个多页面命令作为所述内部命令。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中所述第二命令队列的深度、所述状态寄存器的深度和所述页面缓冲器的每一个的深度是相同的。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其进一步包括：

控制寄存器，其配置为存储关于所述第一命令队列的深度、所述第二命令队列的深度以及所述页面缓冲器的每一个的深度的参数信息。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，

其中所述参数信息存储在所述控制寄存器中或存储在所述存储器单元阵列的部分区域中。

10.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，

其中所述控制寄存器被划分为字地址字段、指示所述参数信息是否是强制信息的信息类型字段、指示所述参数信息是否是可变的信息改变字段以及参数值字段，并且所述参数信息以所述参数信息被分别存储在所述字地址字段、所述信息类型字段、所述信息改变字段和所述参数值字段中的方式存储在所述控制寄存器中。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中所述多个页面缓冲器存储所述标签以及与对应于所述标签的命令相关的数据。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，

其中所述状态寄存器包括所述标签和指示对应于所述标签的命令的执行是否已经完成以及所述命令的执行已经通过或已经失败的信息。