[发明专利]一种闪存单元结构及分立栅快闪存储器在审
| 申请号： | 201611162168.8 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601749A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 单元 结构 分立 | ||
1.一种闪存单元结构，包括半导体衬底、依次设置在所述半导体衬底之上的浮栅、隔离层和控制栅，其特征在于，
所述控制栅之上设置有掩膜层，所述掩膜层包括依次设置于所述控制栅之上的底层氮化层、中间氧化层以及顶层氮化层。
2.如权利要求1所述的闪存单元结构，其特征在于，所述掩膜层的厚度为1200埃。
3.如权利要求2所述的闪存单元结构，其特征在于，所述底层氮化层和所述中间氧化层的厚度比例范围为3:1～4:1。
4.如权利要求2所述的闪存单元结构，其特征在于，所述顶层氮化层的厚度大于等于700埃。
5.如权利要求1所述的闪存单元结构，其特征在于，所述掩膜层上还设置有活性炭层，所述活性炭层的厚度为3000埃。
6.如权利要求1所述的闪存单元结构，其特征在于，所述底层氮化层和/或所述顶层氮化层为氮化硅，和/或所述中间氧化层为氧化硅。
7.如权利要求1所述的闪存单元结构，其特征在于，所述浮栅和所述半导体衬底之间还设置有遂穿氧化层。
8.一种分立栅快闪存储器，包括衬底层，其特征在于，还包括设置在所述衬底层上呈阵列排布的多个如权利要求1-6任意一项所述的闪存单元结构；
其中，所述多个闪存单元结构的所述半导体衬底构成所述衬底层的一部分。
9.如权利要求8所述的分立栅快闪存储器，其特征在于，每一列所述闪存单元结构的所述控制栅相连形成条状控制栅。
10.如权利要求9所述的分立栅快闪存储器，其特征在于，还包括：
位于所述条状控制栅两侧的块状控制栅，所述掩膜层还覆盖于所述块状控制栅之上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
