[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201611153116.4 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN107039494B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 张真稀;金世埈;李昭廷 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
披露了一种有机发光显示装置及其制造方法。所述有机发光显示装置可包括:基板;位于所述基板上的阳极电极;位于所述阳极电极上的有机发光层;位于所述有机发光层上的阴极电极;与所述阴极电极连接的辅助电极;位于所述辅助电极的上表面上的第一堤部;和位于所述辅助电极与所述阳极电极之间的第二堤部,其中所述第二堤部由与所述第一堤部相同的材料形成,并且所述第一堤部和所述第二堤部彼此分隔开,其中所述第一堤部的上表面的宽度大于所述第一堤部的下表面的宽度,并且所述阴极电极经由所述第一堤部与所述第二堤部之间的间隙空间与所述辅助电极连接。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年12月17日提交的韩国专利申请No.10-2015-0181241的权益,通过引用将该专利申请结合在此,如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种有机发光显示装置,尤其涉及一种顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
作为自发光显示装置的有机发光显示(OLED)装置具有低功耗、快速响应速度、高发光效率、高亮度和宽视角的优点。
根据从有机发光装置发射的光的方向,OLED装置可大体上分为顶部发光型和底部发光型。在底部发光型的情形中,在发光层与图像显示表面之间设置有电路装置,由此由于电路装置,可降低开口率。同时,在顶部发光型的情形中,在发光层与图像显示表面之间没有设置电路装置,由此可提高开口率。
图1是相关技术的顶部发光型OLED装置的剖面图。
如图1中所示,包括有源层11、栅极绝缘膜12、栅极电极13、层间绝缘层14、源极电极15和漏极电极16的薄膜晶体管层T设置在基板10上,然后钝化层20和平坦化层30按顺序设置在薄膜晶体管层T上。
此外,阳极电极40和辅助电极50设置在平坦化层30上。设置辅助电极50是用来减小阴极电极90的电阻。在顶部发光型的情形中,从有机发光层80发射的光经过阴极电极90。由于此原因,阴极电极90由透明导电材料形成,这导致其中的电阻增加。为了减小阴极电极90的电阻,阴极电极90与辅助电极50连接。
在阳极电极40和辅助电极50上设置堤部60,以限定像素区域。此外,有机发光层80设置在由堤部60限定的像素区域中。
如果辅助电极50被有机发光层80覆盖,则阴极电极90与辅助电极50之间的电连接变得困难。因而,为了防止辅助电极50被有机发光层80覆盖,在辅助电极50上设置分隔部70。分隔部70与堤部60分隔开,由此辅助电极50和阴极电极90经由分隔部70与堤部60之间的空间彼此连接。
分隔部70可包括第一分隔部71和第二分隔部72,其中分隔部70形成为屋檐(eaves)结构。因而,随着对于工艺特性来说具有出色笔直度的有机发光层80被分隔部70阻挡,可防止有机发光层80渗透到分隔部70与堤部60之间的空间中。同时,对于工艺特性来说具有较差笔直度的阴极电极90渗透到分隔部70与堤部60之间的空间中,然后与辅助电极50连接。
在相关技术的顶部发光型OLED装置的情形中,为了阴极电极90与辅助电极50之间的电连接要额外设置分隔部70。因此,需要额外执行用于形成分隔部70的掩模工艺,由此导致产率的降低。
发明内容
因此,本发明的实施方式旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法。
本发明实施方式的一个方面旨在提供一种无需形成额外的分隔部就能够实现阴极电极与辅助电极之间的电连接的顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的