[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201611153116.4 | 申请日: | 2016-12-14 |
公开(公告)号: | CN107039494B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 张真稀;金世埈;李昭廷 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示(OLED)装置,包括:
基板;
位于所述基板上的阳极电极;
位于所述阳极电极上的有机发光层;
位于所述有机发光层上的阴极电极;
与所述阴极电极连接的辅助电极;
位于所述辅助电极的上表面上的第一堤部;和
位于所述辅助电极与所述阳极电极之间的第二堤部,其中所述第二堤部由与所述第一堤部相同的材料形成,并且所述第一堤部和所述第二堤部彼此分隔开,
其中所述第一堤部的上表面的宽度大于所述第一堤部的下表面的宽度,并且所述阴极电极经由所述第一堤部与所述第二堤部之间的间隙空间与所述辅助电极连接,
其中所述辅助电极包括下部辅助电极、中部辅助电极和上部辅助电极,并且
其中所述下部辅助电极的宽度大于所述中部辅助电极和所述上部辅助电极的每一个的宽度,并且所述中部辅助电极的宽度小于所述上部辅助电极的宽度。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一堤部和一部分所述辅助电极形成分隔部,所述分隔部具有朝着所述分隔部的底表面变窄的倒锥形,并且
其中所述分隔部具有屋檐部,所述阴极电极在所述分隔部的屋檐部下方的区域中连接到所述辅助电极。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中所述一部分所述辅助电极形成所述分隔部的基部,并且所述第一堤部形成所述分隔部的上部。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述上部辅助电极的两端沿着所述第一堤部的下表面向上延伸。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一堤部设置在所述上部辅助电极的上表面上,并且所述第二堤部设置在所述下部辅助电极的上表面上。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一堤部的厚度大于所述第二堤部的厚度。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述阳极电极包括第一阳极电极、以及经由接触孔与所述第一阳极电极连接的第二阳极电极,
其中所述辅助电极是第二辅助电极,所述有机发光显示装置还包括经由接触孔与所述第二辅助电极连接的第一辅助电极,并且
其中所述第一堤部设置在所述第二辅助电极上,并且所述第二堤部设置在所述第二辅助电极与所述第二阳极电极之间。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中所述第一辅助电极的宽度大于所述第一阳极电极的宽度,并且所述第一辅助电极与所述第二阳极电极交叠。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中所述第二阳极电极的宽度大于所述第一阳极电极的宽度,并且所述第二阳极电极与所述第一辅助电极交叠。
10.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中所述第一辅助电极或所述第二辅助电极包括多层结构,所述多层结构具有位于上部辅助电极和下部辅助电极之间的中部辅助电极,并且
其中所述上部辅助电极和所述下部辅助电极的每一个包含比所述中部辅助电极具有更高抗腐蚀性的材料,所述中部辅助电极包含比所述上部辅助电极和所述下部辅助电极的每一个具有更低电阻的材料。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,其中所述第一辅助电极包括所述多层结构,并且所述第一辅助电极的上部辅助电极覆盖所述第一辅助电极的中部辅助电极和下部辅助电极的侧表面。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述辅助电极是第二辅助电极,所述有机发光显示装置还包括与所述第二辅助电极交叠并连接的第一辅助电极,
其中所述阳极电极包括第一阳极电极和第二阳极电极,所述第二阳极电极与所述第一阳极电极交叠并连接,并且
其中所述第一阳极电极或第二阳极电极与所述第一辅助电极或第二辅助电极形成在同一层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的