[发明专利]制作在传感器表面的可提高光传感器灵敏度的结构在审
| 申请号： | 201611134820.5 | 申请日： | 2016-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108615736A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 顾文华;彭力;赖森锋;吴杨慧 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 灵敏度 传感器表面 光传感器 微纳结构 金属膜 传感器 制作 光电探测器 感光位置 感光像素 效率增加 透过率 透光 光照 影像 芯片 穿过 覆盖 | ||
1.一种制作在传感器表面的可提高光传感器灵敏度的结构，其特征在于：CMOS光电传感器或光学镜头表面镀有金属膜，光学镜头放置在CMOS光电传感器上，金属膜上按阵列分布若干个子结构，每个子结构由中心过孔与一系列同心环组成；每个子结构一一对应于CMOS光电传感器的物理像素，此时阵列结构的几何尺寸周期与CMOS光电传感器的物理像素几何尺寸周期相同或相近；子结构包括透光部分和不透光部分，光电传感器物理像素的有效感光部分和子结构的透光部分相对应；同时，物理像素的无效感光部分和子结构的不透光部分相对应，并通过子结构的不透光部分的环结构激发表面等离子波，以把这部分光的能量部分搜集起来并从子结构的透光部分透射过去。
2.根据权利要求1所述的制作在传感器表面的可提高光传感器灵敏度的结构，其特征在于：中心过孔深度与金属膜厚度相同，同心环蚀刻深度小于等于金属膜厚度一半，其中金属膜厚度在入射光波长量级。
3.根据权利要求1所述的制作在传感器表面的可提高光传感器灵敏度的结构，其特征在于：中心过孔深度与金属膜厚度相同，最靠近中心过孔的环蚀刻深度为膜厚度，其中金属膜厚度在入射光波长量级。
4.根据权利要求1-3所述的制作在传感器表面的可提高光传感器灵敏度的结构，其特征在于：外围周期同心环结构的形状为圆形、三角形、正方形、菱形或其他几何形状。
5.根据权利要求1-3所述的制作在传感器表面的可提高光传感器灵敏度的结构，其特征在于：金属膜使用银、金、铜、铝或其他可在相应的电磁波段激发表面等离子波的金属或其他材料来制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
