[发明专利]EFEM中的晶圆搬运部及装载端口部的控制方法有效
申请号: | 201611127710.6 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106876310B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 冈部勉;堀部秀敏 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | efem 中的 搬运 装载 端口 控制 方法 | ||
1.一种控制方法,其特征在于,
是EFEM中的晶圆搬运部及装载端口部的控制方法,所述EFEM具有:晶圆搬运部,其具有向处理室搬运的晶圆所通过的晶圆搬运室;装载端口部,其将形成于收纳所述晶圆的容器的主开口与所述晶圆搬运室气密地连接,
所述控制方法具有:
将所述容器固定于所述装载端口部的载置台的工序;
在关闭了所述主开口的状态下,在载置于所述载置台上的所述容器的底面上所形成的多个底孔连接所述装载端口部的排出用底部嘴以及供给用底部嘴,并经由所述供给用底部嘴向所述容器的内部进行清洁化气体的导入及经由所述排出用底部嘴进行气体从所述容器的排出的第一清洁化工序;
停止进行了所述第一清洁化工序的清洁化气体从所述供给用底部嘴的导入,从所述容器的气体的排出在之后也经由所述排出用底部嘴继续进行,开放所述主开口,并将所述容器和所述晶圆搬运室气密地连接的连接工序;
经由开放的所述主开口从所述晶圆搬运室向所述容器的内部导入气体的第二清洁化工序;以及
从所述容器通过开放的所述主开口及所述晶圆搬运室将所述晶圆搬运至所述处理室,并从所述处理室通过所述晶圆搬运室及开放的所述主开口将所述晶圆搬运至所述容器的晶圆搬运工序,
在所述第二清洁化工序中,停止连接工序中经由所述供给用底部嘴的向所述容器的内部的清洁化气体的导入的状态被维持,从所述晶圆搬运室向容器的内部导入的气体经由所述排出用底部嘴排出至所述容器的外部,
在进行所述第二清洁化工序前,进行将所述供给用底部嘴设为非工作状态同时将所述排出用底部嘴设为工作状态的控制,
在所述第二清洁化工序中,利用将所述晶圆搬运室内的下降气流的一部分导向所述主开口的整流板从所述晶圆搬运室向所述容器的内部导入气体,
在所述晶圆搬运部内,从所述晶圆搬运室向所述主开口放出气体的气体放出手段设于所述整流板的上方,
在所述第二清洁化工序中,从所述气体放出手段将气体以被所述整流板诱导的方式沿所述整流板的倾斜面向斜下方放出。
2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,
还具有检测所述容器内的清洁度的检测工序,
所述连接工序在通过所述检测工序检测到所述容器内超过规定的状态而变得清洁之后进行。
3.根据权利要求1或2所述的控制方法,其特征在于,
在所述第二清洁化工序中,经由在所述第一清洁化工序中与所述底孔连接的所述排出用底部嘴中的、与在所述容器的底面中相较于底面中央距所述主开口更远的位置形成的底孔连通的至少一个嘴,排出所述容器内的气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造