[发明专利]布线结构及其形成方法和形成掩模布局的方法

说明书

本发明提供了一种形成掩模布局的方法、一种形成布线结构的方法和一种布线结构。所述形成掩模布局的方法包括：形成包括下布线结构图案和伪下布线结构图案的第一掩模的布局。形成与第一掩模重叠并且包括上布线结构图案和伪上布线结构图案的第二掩模的布局。形成包括第一过孔结构图案和第一伪过孔结构图案的第三掩模的布局。形成包括第二过孔结构图案和第二伪过孔结构图案的第四掩模的布局。第二过孔结构图案可与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠，并且第二伪过孔结构图案可与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠。第四掩模可与第三掩模重叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月7日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2015-0173131的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种布线结构，并且更具体地说，涉及一种形成布线结构的方法。

背景技术

在集成的半导体装置中，下布线和上布线以及将下布线和上布线彼此连接的过孔可具有相对小的尺寸。在光刻工艺和/或蚀刻工艺中，过孔可能会不具有期望的尺寸和/或形状。可使用光学邻近校正(OPC)以形成过孔，然而，当过孔具有极小的尺寸时，即使利用OPC，具有极小尺寸的过孔也可能不形成为具有期望的尺寸和/或形状。

发明内容

根据本发明构思的一个或多个示例性实施例，一种形成掩模布局的方法包括：形成包括下布线结构图案和伪下布线结构图案的第一掩模的布局。形成与第一掩模重叠并且包括上布线结构图案和伪上布线结构图案的第二掩模的布局。形成包括第一过孔结构图案和第一伪过孔结构图案的第三掩模的布局。第一过孔结构图案可与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠，并且第一伪过孔结构图案可与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠。形成包括第二过孔结构图案和第二伪过孔结构图案的第四掩模的布局。第二过孔结构图案可与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠，并且第二伪过孔结构图案可与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠。第四掩模可与第三掩模重叠。

根据本发明构思的一个或多个示例性实施例，一种形成掩模布局的方法包括：形成包括下布线结构图案和伪下布线结构图案的第一掩模的布局。形成与第一掩模重叠并且包括上布线结构图案和伪上布线结构图案的第二掩模的布局。形成包括第一过孔结构图案和第一伪过孔结构图案的第三掩模的布局。第一过孔结构图案可与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠，并且第一伪过孔结构图案可与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠。第一伪过孔结构图案可包括多个第一伪过孔图案和多个第二伪过孔图案。第一伪过孔图案中的每一个可具有小于预定尺寸的尺寸，并且第二伪过孔图案中的每一个可具有等于或大于预定尺寸的尺寸。在第一过孔结构图案和第一伪过孔图案上执行第一OPC。形成与第三掩模重叠并且包括第二过孔结构图案和第二伪过孔结构图案的第四掩模的布局。第二过孔结构图案可与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠，并且第二伪过孔结构图案可与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠。第二伪过孔结构图案可包括多个第三伪过孔图案和多个第四伪过孔图案。第三伪过孔图案中的每一个可具有小于预定尺寸的尺寸，并且第四伪过孔图案中的每一个可具有等于或大于预定尺寸的尺寸。在第二过孔结构图案和第三伪过孔图案上执行第二OPC。