[发明专利]布线结构及其形成方法和形成掩模布局的方法

权利要求书

1.一种形成掩模布局的方法，该方法包括：

形成包括下布线结构图案和伪下布线结构图案的第一掩模的布局；

形成包括上布线结构图案和伪上布线结构图案的第二掩模的布局，第二掩模与第一掩模重叠；

形成包括第一过孔结构图案和第一伪过孔结构图案的第三掩模的布局，第一过孔结构图案与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠，并且第一伪过孔结构图案与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠；以及

形成与第三掩模重叠并且包括第二过孔结构图案和第二伪过孔结构图案的第四掩模的布局，第二过孔结构图案与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠，并且第二伪过孔结构图案与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠，

其中，第一伪过孔结构图案包括多个第一伪过孔图案和多个第二伪过孔图案，第一伪过孔图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸，并且第二伪过孔图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸，第一伪过孔图案比第二伪过孔图案相对更靠近第一过孔结构图案。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在第三掩模上执行第一光学邻近校正；以及

在第四掩模上执行第二光学邻近校正。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在第三掩模上执行第一光学邻近校正的步骤包括：在第一过孔结构图案和第一伪过孔图案上执行第一光学邻近校正。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，伪下布线结构图案包括多个第一伪下布线图案和多个第二伪下布线图案，第一伪下布线图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸，并且第二伪下布线图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸，

其中，伪上布线结构图案包括多个第一伪上布线图案和多个第二伪上布线图案，第一伪上布线图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸，并且第二伪上布线图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸，

并且其中，第一伪过孔图案中的每一个与第一伪下布线图案和第一伪上布线图案中的至少一个重叠。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，第一伪过孔图案中的每一个与第一伪下布线图案之一和第二伪上布线图案之一共同地重叠，或者与第二伪下布线图案之一和第一伪上布线图案之一共同地重叠。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，第一伪过孔结构图案、伪下布线结构图案和伪上布线结构图案中的每一个在平面图中具有矩形形状或方形形状，并且将第一伪过孔结构图案、伪下布线结构图案和伪上布线结构图案中的每一个的尺寸限定为矩形的相对较短的边的长度或者方形的边的长度。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，第一伪下布线图案比第二伪下布线图案相对更靠近第一过孔结构图案，并且第一伪上布线图案比第二伪上布线图案相对更靠近第一过孔结构图案。

8.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在下布线结构图案和第一伪下布线图案上执行第三光学邻近校正，以及

在上布线结构图案和第一伪上布线图案上执行第四光学邻近校正。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，第一光学邻近校正、第三光学邻近校正和第四光学邻近校正包括扩大第一过孔结构图案、下布线结构图案和上布线结构图案的尺寸并处理第一过孔结构图案、下布线结构图案和上布线结构图案的拐角，

并且其中，第一光学邻近校正包括扩大第一伪过孔图案的尺寸。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，第三光学邻近校正和第四光学邻近校正包括扩大第一伪下布线图案和第一伪上布线图案的尺寸。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，第二伪过孔结构图案包括多个第三伪过孔图案和多个第四伪过孔图案，第三伪过孔图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸，并且第四伪过孔图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸，

并且其中，执行第二光学邻近校正的步骤包括在第二过孔结构图案和第三伪过孔图案上执行第二光学邻近校正。