[发明专利]一种用于晶体生长的调节反应釜及其控制方法有效
申请号: | 201611110488.9 | 申请日: | 2016-12-06 |
公开(公告)号: | CN106757359B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李成明;张国义;李顺峰;童玉珍;卢洪 | 申请(专利权)人: | 北京大学东莞光电研究院 |
主分类号: | C30B29/40 | 分类号: | C30B29/40;C30B9/10 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 罗晓林;杨桂洋 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 晶体生长 调节 反应 及其 控制 方法 | ||
1.一种用于晶体生长的调节反应釜,包括釜体和设在釜体内的加热器,其特征在于,所述釜体内至少设置一个晶体生长用坩埚和一个反应物溶液调整坩埚,该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚通过充满反应物溶液的连通管路连接,釜体上设有升降移动控制机构,该升降移动控制机构分别与晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚连接,带动该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚上升或下降。
2.根据权利要求1所述的用于晶体生长的调节反应釜,其特征在于,所述连通管路至少设置一条。
3.根据权利要求2所述的用于晶体生长的调节反应釜,其特征在于,所述连通管路由石英、陶瓷、高纯铜管或不锈钢管材料制成。
4.根据权利要求3所述的用于晶体生长的调节反应釜,其特征在于,所述晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚的侧面和底面均设有加热器。
5.根据权利要求4所述的用于晶体生长的调节反应釜,其特征在于,所述晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚的数量相同或者不同。
6.根据权利要求5所述的用于晶体生长的调节反应釜,其特征在于,所述加热器为红外加热器、电阻加热器或射频加热器。
7.一种根据权利要求1-6中任一项所述的用于晶体生长的调节反应釜的控制方法,包括以下步骤:
初始状态下,在晶体生长用坩埚放置晶种模板和填充反应物溶液,在反应物溶液调整坩埚内填充反应物溶液,晶体生长用坩埚的液面和反应物溶液调整坩埚的液面位于同一高度;
启动加热器进行加热升温,同时往釜体内引入氮气;
在加热升温过程中,调整晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚的相对高度,使晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚内的反应物溶液经连通管路相互流动,直到晶体生长完成;
晶体生长完成后,使晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚复位,重新保持液面相同的高度。
8.根据权利要求7所述的用于晶体生长的调节反应釜的控制方法,其特征在于,在控制晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚的相对高度时,保持晶体生长用坩埚静止不动,使反应物溶液调整坩埚上升和下降;或者保持反应物溶液调整坩埚静止不动,使晶体生长用坩埚上升和下降;或者晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚分别上升和下降。
9.根据权利要求7所述的用于晶体生长的调节反应釜的控制方法,其特征在于,所述晶体生长用坩埚和/或反应物溶液调整坩埚在上升和下降时,以连续运动、周期运动或间歇运动的方式进行运动。
10.根据权利要求7所述的用于晶体生长的调节反应釜的控制方法,其特征在于,在加热升温过程中,晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚的温度相同或者不相同。
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