[发明专利]一种LED制备方法、LED和芯片

说明书

本发明提供一种LED制备方法、LED和芯片，属于发光二极管技术领域。该方法包括：在衬底上依次生长U型氮化镓层和N型氮化镓层；在所述N型氮化镓层上依次生长M个量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括量子阱层、盖帽层和势垒层，其中，M为大于等于10的整数；对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理，其中，Q为小于等于M的整数；在所述量子阱结构上生长在所述P型氮化镓层。本发明提供的LED制备方法、LED和芯片，提高了LED亮度和波长的均匀性。

技术领域

本发明涉及发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)技术领域，尤其涉及一种LED制备方法、LED和芯片。

背景技术

III-V族半导体材料在发光照明、太阳电池及大功率器件等领域得到了广泛地的应用，尤其以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，是继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料，受到了科研界及产业界的广泛关注，而且GaN是制造蓝绿光LED最主要的材料，在产业界开始全面地推行。

目前，InN的禁带宽度较窄，因此InGaN中In的含量多少决定LED的发光波长颜色，InGaN绿光LED的波长较长，因此在外延生长过程中，有源区的生长需要较低的温度获得较高含量的In组分，在生长过程中较低的生长温度会使原子在表面的扩散能力变差。因此，在实际生产过程中，将InGaN绿光LED外延在同一炉次生长中，会产生亮度及波长一致性较差的问题。

因此，现有技术中的LED亮度和波长的均匀性较差。

发明内容

本发明提供一种LED制备方法，LED和芯片，以提高LED亮度和波长的均匀性。

本发明实施例提供一种LED制备方法，包括：

在衬底上依次生长U型氮化镓层和N型氮化镓层；

在所述N型氮化镓层上依次生长M个量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括量子阱层、盖帽层和势垒层，其中，M为大于等于10的整数；

对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理，其中，Q为小于等于M的整数；

在所述量子阱结构上生长在所述P型氮化镓层。

在本发明一实施例中，所述对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理，包括：

在第i个量子阱层开始生长时，调节预设温度属于预设温度区间，预设压力属于预设压力区间，通入镓源化合物、铟源化合物、氨气和氮气，其中，i为小于等于Q的整数；

在所述第i个量子阱层生成一半时，保持预设温度，预设压力，在预设时间段内停止通入镓源化合物；对所述量子阱层进行低压分离处理，所述预设时间段属于预设时间区间；

在所述第i个量子阱层生长完成之前，保持预设温度，预设压力，继续通入镓源化合物，生成所述第i个量子阱层。

在本发明一实施例中，所述Q个量子阱结构为所述M个量子阱结构中，最后生成的Q个量子阱结构。

在本发明一实施例中，所述对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理，包括：

在所述Q个量子阱结构中的每一个量子阱层的开始生长时，调节预设温度属于预设温度区间，预设压力属于预设压力区间，通入镓源化合物、铟源化合物、氨气和氮气，生成所述每一个量子阱层；

在所述每一个量子阱层生成之后，在第一时间段内，保持预设温度，调节预设压力为第一压力，停止通入镓源化合物，对所述量子阱层进行低压分离处理，所述第一压力属于所述预设压力区间，所述第一时间段属于所述预设时间区间。

在本发明一实施例中，所述对M个量子阱结构中的Q个量子阱结构中的量子阱层进行低压分离处理，包括：