[发明专利]双侧集成扇出封装件

权利要求书

1.一种用于形成双侧封装件的方法，包括：

在包括第一芯片和第二芯片的封装件上方形成介电层，所述介电层具有形成在所述介电层中的贯通开口；

在所述介电层上形成再分布层(RDL)并且所述再分布层延伸至所述贯通开口内，其中，形成所述再分布层包括：

在所述第一芯片和所述第二芯片上方形成晶种层，

在所述晶种层上方形成第一图案化掩模，以及

执行第一金属镀敷，以使得所述再分布层具有延伸穿过所述贯通开口的贯通部；

剥离所述第一图案化掩模但留下所述晶种层；

在剥离所述第一图案化掩模之后，在所述再分布层的第一部分的顶部上形成贯通孔，其中，形成所述贯通孔包括：

在所述晶种层和所述再分布层上方形成第二图案化掩模，以及

执行第二金属镀敷，以使得所述贯通孔延伸穿过所述再分布层中形成的孔直至所述再分布层下面的所述晶种层；

剥离所述第二图案化掩模以及执行蚀刻以去除所述晶种层的部分；

将横跨所述第一芯片和所述第二芯片并且由所述贯通孔环绕的第三芯片附接至所述再分布层的第二部分；以及

将所述第三芯片和所述贯通孔包封在包封材料中，其中，所述第三芯片通过管芯附接膜和所述再分布层的第二部分直接附着于所述介电层，所述管芯附接膜与所述介电层的顶面物理接触，所述包封材料与所述贯通孔的整个侧壁、所述再分布层的所述第一部分未与所述贯通孔接触的所述顶部、以及所述介电层的顶面物理接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，包封所述第三芯片和所述贯通孔包括模制所述包封材料。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括平坦化所述包封材料的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述贯通孔的步骤还包括直接在所述再分布层的所述第一部分上形成所述贯通孔。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述再分布层的步骤包括在所述介电层的最上表面上方形成所述再分布层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述贯通孔的步骤包括在所述介电层的最上表面上方形成所述贯通孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述贯通孔的步骤包括形成延伸穿过所述贯通孔的中心部分的孔的步骤。

8.一种用于形成双侧封装件的方法，包括：

在包括第一芯片和第二芯片的封装件上方形成介电层，所述介电层具有形成在所述介电层中的贯通开口；

在所述介电层上形成再分布层(RDL)，所述再分布层延伸至所述开口内，其中，形成所述再分布层包括：

在所述第一芯片和所述第二芯片上方形成晶种层，

在所述晶种层上方形成第一图案化掩模，以及

执行第一金属镀敷，以使得所述再分布层具有延伸穿过所述贯通开口的贯通部；

在所述再分布层的第一部分的顶部上形成贯通孔，其中，形成所述贯通孔包括：

形成第二图案化掩模，以及

执行第二金属镀敷，以使得所述贯通孔延伸穿过所述再分布层中形成的孔直至所述再分布层下面的所述晶种层；

在形成所述贯通孔之后，剥离所述第一图案化掩模和所述第二图案化掩模，以及执行蚀刻以去除所述晶种层的部分；

将横跨所述第一芯片和所述第二芯片并且由所述贯通孔环绕的第三芯片附接至所述再分布层的第二部分；以及

用包封材料包封所述第三芯片和所述贯通孔，其中，所述第三芯片通过管芯附接膜和所述再分布层的所述第二部分直接附着于所述介电层，所述管芯附接膜与所述介电层的顶面物理接触，所述包封材料与所述贯通孔的整个侧壁、所述再分布层的所述第一部分未与所述贯通孔接触的所述顶部、以及所述介电层的顶面物理接触。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述贯通孔和所述再分布层的下面的部分中形成孔的步骤，其中，所述孔延伸完全地穿过所述贯通孔和所述再分布层的所述下面的部分。