[发明专利]挡板、等离子体处理设备、基板处理设备和处理基板方法在审
申请号: | 201611103022.6 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN106941068A | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 姜盛皓;金基哲;李在铉;文平;李汉基;金彦起 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/324 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强,尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 挡板 等离子体 处理 设备 方法 | ||
本申请要求于2015年12月4日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0172658号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
发明构思的实施例涉及一种挡板(baffle plate)、一种使用该挡板的等离子体处理设备、一种基板处理设备和一种处理基板的方法。更具体地说,发明构思的实施例涉及一种挡板、一种等离子体处理设备以及一种通过防止或减少电弧(arc)的产生来减少颗粒污染的处理基板的方法。
背景技术
随着半导体装置的尺寸减小,半导体装置的某些区域的电阻会减小。然而,由于在半导体装置的制造工艺期间可以出现的晶体缺陷,会导致半导体装置的某些区域的电阻不能减小到期望的值。这些缺陷可以通过使用氢等离子体的退火处理来处理。然而,当使用氢等离子体在等离子体处理设备中执行退火处理时,频繁地产生电弧,这会导致颗粒污染。
发明内容
根据发明构思的示例性实施例,一种等离子体处理设备包括基座、容纳基座并且包围反应空间的室外壳以及环形地围绕基座的环形挡板。挡板包括具有导电材料的第一层和具有非导电材料的第二层,并且第二层比第一层接近于反应空间。
根据发明构思的示例性实施例,一种基板处理设备包括基座、容纳基座并且包围反应空间的室外壳以及围绕基座的环形挡板。挡板包括导电材料并且接地。
根据发明构思的示例性实施例,一种处理基板的方法包括:将基板放置在基板处理设备的室外壳中的基座上,其中,室外壳包围反应空间并且容纳围绕基座的环形挡板,所述挡板包括具有导电材料的第一层和具有非导电材料的第二层,并且第二层比第一层接近于反应空间;将处理气体供应到反应空间中;将电力施加至结合到室外壳的等离子体产生器,以使处理气体形成等离子体。
根据发明构思的示例性实施例,一种用于等离子体处理设备的挡板包括:第一层,包括导电材料;第二层,包括非导电材料。挡板具有环形形状。
根据发明构思的示例性实施例,一种处理基板的方法包括:将基板放置在基板处理设备的室外壳中的基座上,其中,室外壳包围反应空间并且容纳环形地围绕基座的环形挡板,所述挡板包括导电材料并且接地;将处理气体供应到反应空间中;将电力施加至结合到室外壳的等离子体产生器,以使处理气体形成等离子体。
附图说明
图1是示出根据发明构思的示例性实施例的基板处理设备的平面图。
图2是示出根据发明构思的示例性实施例的等离子体处理设备的剖视图。
图3是示出根据发明构思的示例性实施例的挡板的透视图。
图4A至图4G分别示出根据发明构思的示例性实施例的挡板并且分别示出沿着图3的线IV-IV’截取的横截面。
图5A和图5B示出当挡板的第一层和第二层分别具有5mm的厚度时在反应空间中的电场分布。
图6A和图6B示出当挡板的第一层具有17mm的厚度并且挡板的第二层具有5mm的厚度时在反应空间中的电场分布。
图7至图9示出根据发明构思的示例性实施例的包括各种材料的堆叠结构的挡板的横截面。
图10是示出根据发明构思的示例性实施例的处理基板的方法的流程图。
图11是示出根据发明构思的示例性实施例的将要在等离子体设备中处理的基板上的结构的透视图。
具体实施方式
这里,当将两个或更多个元件描述为基本彼此相同或大致彼此相同时,要理解的是,正如本领域普通技术人员将理解的,这些元件是彼此相同或等同的、彼此不能区分的、或者彼此可区分但是功能上彼此相同的。
图1是示出根据发明构思的示例性实施例的基板处理设备的平面图。
参照图1,根据实施例的基板处理设备1包括索引模块10和处理模块20。索引模块10包括装载端口12和传送框14。在一些实施例中,装载端口12、传送框14和处理模块20顺序地布置在一行中。
根据示例性实施例,容纳有基板的载体18位于装载端口12上。前端开口片盒(FOUP)可以用作载体18。可以存在多个装载端口12。装载端口12的数量可以根据处理模块20的处理效率或印迹条件而增大或减小。多个槽可以限定在载体18中以容纳基板。槽保持基板平行于地。
根据示例性实施例,处理模块20包括缓冲单元22、传送室24和处理室26。处理室26设置在传送室24的两侧处。处理室26可以关于传送室24对称地布置。
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