[发明专利]挡板、等离子体处理设备、基板处理设备和处理基板方法

权利要求书

1.一种等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：

基座；

室外壳，容纳基座并且包围反应空间；以及

环形挡板，围绕基座，

其中，挡板包括具有导电材料的第一层和具有非导电材料的第二层，并且第二层比第一层接近于反应空间。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，第二层包括石英、Al₂O₃、AlN和Y₂O₃中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，第一层包括金属。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理设备，其中，金属包括铝、铜、不锈钢和钛中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，第一层和第二层具有相同的外半径，第一层的内半径不同于第二层的内半径。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理设备，其中，第一层的内半径大于第二层的内半径。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其中，第一层的内半径和第二层的内半径相对于挡板的同心轴是恒定的。

8.根据权利要求6所述的等离子体处理设备，其中，第一层的内半径沿着与挡板的同心轴平行的方向而变化。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理设备，其中，第一层的内表面包括相对于同心轴有斜度地倾斜的部分，并且第一层的内半径随着所述部分越接近于第二层倾斜而减小。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，第一层和第二层具有相同的外半径，并且第一层的内半径基本等于第二层的内半径。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，第一层的最大厚度在与挡板的同心轴平行的方向上处于10mm至50mm的范围内。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，第一层包括至少堆叠的两个金属层。

13.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，挡板还包括邻近第一层且与第二层相对的第三层，

其中，第一层置于第二层和第三层之间。

14.根据权利要求13所述的等离子体处理设备，其中，第三层包括非导电材料。

15.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，第一层电连接到室外壳。

16.根据权利要求10所述的等离子体处理设备，所述等离子体处理设备还包括：

气体供应单元，将气体供给到反应空间中；以及

等离子体产生器，使反应空间中的气体形成等离子体。

17.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，挡板还包括穿透第一层和第二层的多个外围开口。

18.一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：

基座；

室外壳，容纳基座并且包围反应空间；以及

环形挡板，围绕基座，其中，挡板包括导电材料并且接地。

19.一种处理基板的方法，所述方法包括：

将基板放置在基板处理设备的室外壳中的基座上，其中，室外壳包围反应空间并且容纳环形地围绕基座的环形挡板，所述挡板包括具有导电材料的第一层和具有非导电材料的第二层，并且第二层比第一层接近于反应空间；

将处理气体供应到反应空间中；以及

将电力施加至结合到室外壳的等离子体产生器，以使处理气体形成等离子体。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，挡板通过室外壳来接地。

21.一种用于等离子体处理设备的挡板，所述挡板包括：

第一层，包括导电材料；以及

第二层，包括非导电材料，

其中，挡板具有环形形状。

22.根据权利要求21所述的挡板，其中，第一层和第二层具有相同的外半径，第一层的内半径不同于第二层的内半径。

23.根据权利要求21所述的挡板，其中，第一层的厚度随着越接近于第二层的内侧壁而越减小。