[发明专利]一种基于离子液体栅的单分子场效应晶体管有效
申请号: | 201611100504.6 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN108155290B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 郭雪峰;辛娜;贾传成;文惠敏;李明亮;龚瑶 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100871 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 离子 液体 分子 场效应 晶体管 | ||
1.式A所示化合物中的至少一种在制备分子异质结中的分子的应用;
所述式A中,R1和R3选自单键和-CH2-中的任意一种;
a为0或1;
a为0时,R2为所述中,n=1~6的整数;
a为1时,R2为
所述中,n=1~3的整数。
2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于:所述式A所示化合物为式I-式IV所示化合物中的任意一种:
所述式I中,n=1~6的整数;
所述式II中,n=1~3的整数;
3.式A所示化合物中的至少一种在制备单分子场效应晶体管中作为单分子的应用;
所述式A中,R1和R3选自单键和-CH2-中的任意一种;
a为0或1;
a为0时,R2为所述中,n=1~6的整数;
a为1时,R2为
所述中,n=1~3的整数。
4.根据权利要求3所述的应用,其特征在于:所述式A所示化合物为式I-式IV所示化合物中的任意一种:
所述式I中,n=1~6的整数;
所述式II中,n=1~3的整数;
5.根据权利要求3所述的应用,其特征在于:所述单分子场效应晶体管还含有二乙基甲基-(2-甲氧乙基)铵基双(三氟甲磺酰基)酰亚胺。
6.根据权利要求3所述的应用,其特征在于:所述单分子场效应晶体管由石墨烯阵列点电极、栅极、分子异质结和离子液体组成;所述离子液体为二乙基甲基-(2-甲氧乙基)铵基双(三氟甲磺酰基)酰亚胺;
其中,所述栅极位于所述石墨烯阵列点电极的两侧,且与所述石墨烯阵列点电极无导电接触;
所述分子异质结与所述石墨烯阵列点电极之间通过酰胺键连接;
所述离子液体覆盖所述石墨烯阵列点电极和栅极并充满所述石墨烯阵列点电极和栅极之间的沟道。
7.根据权利要求6所述的应用,其特征在于:所述单分子场效应晶体管中,所述栅极为铂栅电极。
8.根据权利要求3-7中任一所述的应用,其特征在于:所述单分子场效应晶体管在温度为200K~300K、栅压为-2V~+2V及源漏偏压为-1V~+1V的条件下具有场效应调控性能。
9.由式A所示化合物中的至少一种自组装而得的分子异质结;
所述式A中,R1和R3选自单键和-CH2-中的任意一种;
a为0或1;
a为0时,R2为所述中,n=1~6的整数;
a为1时,R2为
所述中,n=1~3的整数。
10.根据权利要求9所述的分子异质结,其特征在于:所述式A所示化合物为式I-式IV所示化合物中的任意一种:
所述式I中,n=1~6的整数;
所述式II中,n=1~3的整数;
11.含有式A所示化合物中的至少一种的单分子场效应晶体管;
所述式A中,R1和R3选自单键和-CH2-中的任意一种;
a为0或1;
a为0时,R2为所述中,n=1~6的整数;
a为1时,R2为
所述中,n=1~3的整数。
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