[发明专利]连接件结构及其形成方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及连接件结构及其形成方法。

背景技术

不夸张的说，现代集成电路由数百万个诸如晶体管和电容器的有源器件构成。最初这些器件相互隔离，但是，随后互连在一起以形成功能电路。典型的互连部件包括诸如金属线(布线)的横向互连件和诸如通孔和接触件的垂直互连件。互连件越来越多地决定了现代集成电路的性能和密度的限制。接合焊盘形成在互连件顶部并且暴露在相应的芯片的表面上。通过接合焊盘以将芯片连接至封装衬底或另一管芯制作电互连件接合焊盘可以用于引线接合或倒装芯片接合。倒装芯片封装使用凸块以在芯片的输入/输出(I/O)焊盘和封装件的衬底或引线框架之间建立电接触。凸块在结构上实际包括凸块本身和位于凸块和I/O焊盘之间的凸块下金属(UBM)。在一些封装工艺期间，也使用更小尺寸的凸块在芯片的I/O焊盘和其他诸如小尺寸芯片或离散器件的I/O焊盘之间建立电接触。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种形成连接件结构的方法，包括：在工件上形成第一图案化的钝化层，所述第一图案化的钝化层具有暴露所述工件的导电部件的第一开口；在所述第一图案化的钝化层上方及所述第一开口中形成晶种层；在所述晶种层上方形成图案化的掩模层，所述图案化的掩模层具有暴露所述晶种层的第二开口，所述第二开口与所述第一开口重叠；在所述第二开口中形成连接件；部分地去除所述图案化的掩模层，所述图案化的掩模层的未去除的部分保留在所述第一开口中；以及使用所述图案化的掩模层的所述未去除的部分作为掩模来图案化所述晶种层。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种形成连接件结构的方法，包括：在工件上沉积具有第一开口的第一图案化的钝化层，所述第一开口暴露所述工件的导电部件；在所述第一图案化的钝化层上方以及沿着所述第一开口的底部和侧壁沉积保护层；在所述第一图案化的钝化层上方沉积具有第二开口的第二图案化的钝化层，所述第二开口暴露所述第一开口，所述第二开口和所述第一开口形成组合的开口；在所述第二图案化的钝化层上方以及所述组合的开口中沉积晶种层；在所述第二图案化的钝化层上方以及所述组合的开口中沉积具有第三开口的图案化的掩模层，所述第三开口暴露所述晶种层，所述第三开口位于所述组合的开口内；在所述第三开口中沉积导电材料以在所述第三开口中形成连接件；蚀刻所述图案化的掩模层直到暴露所述晶种层的最高表面，位于所述组合的开口中的所述晶种层的至少部分被所述图案化的掩模层的剩余部分保护；使用所述图案化的掩模层的所述剩余部分作为蚀刻掩模来蚀刻所述晶种层的暴露部分；以及蚀刻所述图案化的掩模层的所述剩余部分。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种连接件结构，包括：集成电路管芯，具有第一钝化层，所述第一钝化层具有位于所述第一钝化层中的第一开口；导电部件，位于所述集成电路管芯上，通过所述第一开口暴露所述导电部件的至少部分；晶种层，位于所述导电部件上；以及连接件，位于所述晶种层上，所述晶种层的宽度大于所述连接件的宽度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。

图1A至图7B是根据一些实施例的在集成电路管芯上制造连接件结构期间的各个处理步骤的顶视图和截面图。

图8A和图8B是根据一些实施例的使用连接件结构将多个离散器件连接至集成电路管芯的顶视图和截面图。

图9是根据一些实施例的在集成电路管芯上形成连接件结构的方法的流程图。

具体实施方式

为了实施本发明的不同部件，以下公开提供了许多不同的实施例或实例。在下面描述元件和布置的特定实例以简化本发明。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。