[发明专利]阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一层间介电层，在所述第一层间介电层中形成沟槽；

在所述沟槽的侧壁上形成第一电极材料层；

在所述第一电极材料层的侧壁上形成阻变材料层；

形成填充所述沟槽的第二电极材料层；

沿第一方向对所述第一电极材料层、阻变材料层和第二电极材料层进行切割，以形成多个间隔的阻变随机存储器存储单元，

其中，所述存储单元包括第二电极，分别位于所述第二电极两侧的第一左电极、第一右电极，位于所述第一左电极与第二电极之间的第一阻变层，以及位于所述第一右电极与第二电极之间的第二阻变层，所述第二电极由切割后剩余的所述第二电极材料层构成，所述第一左电极、第一右电极均由切割后剩余的所述第一电极材料层构成，所述第一阻变层、第二阻变层均由切割后剩余的所述阻变材料层构成。

2.根据权利要求1所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，还包括：

形成覆盖所述第一层间介电层和阻变随机存储器存储单元的第二层间介电层；

在所述第二层间介电层中形成分别与所述第一左电极、第一右电极和第二电极电性连接的互连线。

3.根据权利要求2所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，用于与所述第一左电极连接的互连线沿第二方向延伸，以使在所述第二方向上位于同一直线上的第一左电极彼此电性连接，用于与所述第一右电极连接的互连线沿第二方向延伸，以使在所述第二方向上位于同一直线上的第一右电极彼此电性连接，

其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。

4.根据权利要求2所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，在所述第一方向上相邻的阻变随机存储器存储单元的相邻的第一左电极和第一右电极电性连接。

5.根据权利要求1-4中的任意一项所述的阻变随机存储器存储单元的制作方法，其特征在于，所述第一左电极、第一阻变层和第二电极形成第一导电桥接结构；所述第一右电极、第二阻变层和第二电极形成第二导电桥接结构。

6.一种阻变随机存储器存储单元，其特征在于，包括：第一左电极、第一右电极以及位于第一左电极和第一右电极之间的第二电极，在所述第一左电极和第二电极之间形成有第一阻变层，在所述第一右电极和第二电极之间形成有第二阻变层，所述第一左电极、第一阻变层和第二电极形成第一导电桥接结构，所述第一右电极、第二阻变层和第二电极形成第二导电桥接结构，

其中，所述第一阻变层的电阻基于所述第一左电极和第二电极上的电平变化，所述第二阻变层的电阻基于所述第一右电极和第二电极上的电平变化。

7.根据权利要求6所述的阻变随机存储器存储单元，其特征在于，所述第一左电极和第一右电极为氮化钛、银、铝或铂；所述第二电极为钨、铜、银或氮化钛。

8.根据权利要求6所述的阻变随机存储器存储单元，其特征在于，所述第一阻变层和第二阻变层为二氧化铪、氧化铜或非晶硅。

9.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求6-8中的任意一项所述的阻变随机存储器存储单元以及与所述阻变随机存储器存储单元相连接的电子组件。