[发明专利]晶片加工体以及晶片加工方法

说明书

本发明提供一种晶片加工体，其材料选择范围广，将加工后的晶片分离、取出的步骤简单，能满足各种工序上的要求，并可提高薄型晶片的生产率。为此，提供一种在支撑体上积层有暂时粘合材料层，在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片加工体，其特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；以及，第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。

技术领域

本发明涉及一种晶片加工体以及晶片加工方法，所述晶片加工体可以有 效获得薄型晶片(wafer)。

背景技术

对于实现进一步的高密度、大容量化而言，三维半导体安装是必不可少 的。三维安装技术是指以下的半导体制造技术：将一个半导体晶片薄型化， 再利用硅通孔(throughsilicon via，TSV)电极将此半导体晶片接线，并积层成 多层。为了实现此项技术，需要以下步骤：对于形成有半导体电路的基板， 通过在非电路形成面(又称为“背面”)上进行研削来实现薄型化，并在背 面形成包括TSV的电极。以往，在硅基板的背面研削步骤中，在研削面的相 反侧粘贴背面保护胶带，以防止研削时的晶片破损。然而，此胶带是将有机 树脂薄膜用于基材，具有柔软性，但是强度和耐热性不充分，不适合进行TSV 形成步骤和背面上的配线层形成步骤。

因此，已提出一种系统，通过将半导体基板隔着粘合层接合于硅、玻璃 等支撑体，使它能足以经受得住背面研削、TSV和背面电极形成等步骤。此 时重要的是，在将基板接合于支撑体时的粘合层。此粘合层需要能够将基板 无缝接合于支撑体，要有足够的耐久性足以经受得住后续步骤，而且最后可 以方便地从支撑体上剥离薄型晶片。这样一来，从最后剥离来说，在本说明 书中，将此粘合层称为暂时粘合层(或暂时粘合材料层)。

作为过去公知的暂时粘合层及其剥离方法，已提出以下技术：向包含吸 光性物质的粘合材料上照射高强度的光，并通过将粘合材料层分解，来从支 撑体上剥离粘合材料层(专利文献1)；以及，将热熔性烃类化合物用于粘 合材料，并在加热熔融状态下进行接合、剥离(专利文献2)。前项技术存 在以下问题：每一块基板的处理时间会变长等。此外，后项技术由于只通过 加热来进行控制，因而较为简便，但由于在超过200℃的高温下，热稳定性不充分，因此应用范围较窄。进一步这些暂时粘合层，也不适于高段差基板 的均匀膜厚形成以及对支撑体的完全粘合。

还提出了以下技术：将硅酮粘着剂用于暂时粘合层(专利文献3)。此 技术是使用加成固化型硅酮粘着剂，将基板接合于支撑体，剥离时浸渍于能 够将硅酮树脂溶解或分解的药剂，将基板从支撑体分离。因此，剥离需要很 长的时间，难以应用于实际的制造工序。

此外，作为支撑体的分离方法，提出了以下技术：在支撑体上设置许多 贯通孔，并通过此贯通孔将溶剂供应至粘合剂，将粘合剂溶解后剥离(专利 文献4)。然而，在此方法中，能够供应至粘合剂的溶剂量有限，且需要很 长的时间，难以应用于实际的制造工序。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-64040号公报；

专利文献2：日本特开2006-328104号公报；

专利文献3：美国专利第7541264号公报；

专利文献4：日本特开2006-135272号公报。

发明内容