[发明专利]晶片加工体以及晶片加工方法

权利要求书

1.一种晶片加工体，是在支撑体上积层有暂时粘合材料层，且在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片，所述晶片加工体的特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；以及，第三暂时粘合层，由积层于所述支撑体上且积层于所述热固化性树脂层(B)的分离层(C)构成，其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。

2.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述暂时粘合材料层进一步包括第三暂时粘合层，所述第三暂时粘合层由积层于所述支撑体上并且积层于所述热固化性树脂层(B)上的分离层(C)构成，当隔着所述分离层(C)使所述支撑体从所述晶片加工体分离时，所述分离层(C)不会残留在所述热固化性树脂层(B)上。

3.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述暂时粘合材料层进一步包括第三暂时粘合层，所述第三暂时粘合层由积层于所述支撑体上并且积层于所述热固化性树脂层(B)上的分离层(C)构成，当隔着所述分离层(C)使所述支撑体从所述晶片加工体分离时，部分或全部所述分离层(C)残留在所述热固化性树脂层(B)上，并且所述分离层(C)可溶于所述洗涤溶剂(D)，或不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。

4.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热塑性树脂层(A)包含脂肪族烃类树脂和芳香族烃类树脂中的任1种以上。

5.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述热固化性树脂层(B)包含硅酮树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂以及酚醛树脂中的任1种以上。

6.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，所述洗涤溶剂(D)是选自脂肪族烃类有机溶剂、芳香族烃类有机溶剂、酮类有机溶剂、醇类有机溶剂、醚类有机溶剂、酯类有机溶剂、胺类有机溶剂、铵类有机溶剂以及有机酸类有机溶剂中的1种以上的有机溶剂；或该有机溶剂与碱类水溶液、酸类水溶液以及水中的任1种以上的混合液。

7.如权利要求2至6中的任1项所述的晶片加工体，其中，所述分离层(C)包含热塑性硅酮类材料、热固化性硅酮类材料、氟类材料、脂肪族烃类材料以及芳香族烃类材料中的任1种以上。

8.如权利要求2至6中的任1项所述的晶片加工体，其中，所述支撑体与所述分离层(C)的粘合力、所述热固化性树脂层(B)与所述分离层(C)的粘合力以及所述分离层(C)的凝聚破坏力中的任1种以上，低于所述热塑性树脂层(A)与所述热固化性树脂层(B)的粘合力。

9.如权利要求2至6中的任1项所述的晶片加工体，其中，所述分离层(C)，根据X射线、紫外线、可见光以及红外线中的任1种、或混合有特定范围的波长的光的面照射、或激光照射，使所述支撑体与所述分离层(C)的粘合力、所述热固化性树脂层(B)与所述分离层(C)的粘合力以及所述分离层(C)的凝聚破坏力中的任1种以上降低。

10.如权利要求2至6中的任1项所述的晶片加工体，其中，在所述分离层(C)上积层有热固化后的热固化性树脂层(B)，在此状态下，从分离层(C)与热固化性树脂层(B)的界面剥离热固化性树脂层(B)所需的剥离力、或凝聚破坏分离层(C)并剥离热固化性树脂层(B)所需的剥离力，以宽25mm的试片的180°剥落剥离力计为0.5gf以上且50gf以下。