[发明专利]制造指纹扫描器的方法以及半导体装置有效
申请号: | 201611019343.8 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN107026092B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 黄育智;陈志华;余振华;刘重希;林志伟;蔡豪益;陈玉芬;郑余任 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/16;G06K9/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 指纹 扫描器 方法 以及 半导体 装置 | ||
1.一种制造指纹扫描器的方法,所述方法包括:
粘附传感器至传感器表面材料,其中所述传感器包括多个贯穿衬底通路;
以囊封物囊封所述传感器与所述传感器表面材料;
形成重布层于所述传感器的表面上并且电连接所述贯穿衬底通路,所述表面背对所述传感器表面材料;以及
附接高电压裸片经由所述重布层电连接至所述传感器,以提供高电压至所述传感器,其中附接所述高电压裸片到所述重布层上与该传感器对立的一侧,其中高电压为5V至50V。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括单粒化所述囊封物,以形成第一传感器封装。
3.根据权利要求2所述的方法,其中该第一传感器封装具有一第一宽度,该传感器表面材料具有小于该第一宽度的一第二宽度,以及该传感器具有小于该第二宽度的一第三宽度。
4.根据权利要求1所述的方法,其中形成该重布层进一步包括形成一导电区,该导电区实体接触所述贯穿衬底通路。
5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括形成多个接触垫,所述接触垫电连接所述贯穿衬底通路,其中形成所述重布层进一步包括形成导电区,所述导电区物理接触所述接触垫。
6.一种制造指纹扫描器的方法,所述方法包括:
电连接接触垫至第一重布层的导电区,其中所述接触垫位于传感器背对所述第一重布层的第一表面上,其中所述第一重布层的所述导电区与所述传感器侧向分离;
在所述传感器的所述第一表面的上方形成第二重布层之后,于所述接触垫上方附接传感器表面材料;以及
连接高电压芯片至所述第一重布层的与所述传感器对立的一侧,其中高电压芯片经由所述第一重布层电连接至所述传感器,以提供高电压至所述传感器,其中高电压为5V至50V,
其中所述传感器在所述第一重布层上方,所述接触垫在所述传感器上方,所述第二重布层在所述接触垫上方,以及所述传感器表面材料在所述第二重布层上方。
7.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:
于所述第一重布层上形成贯穿通路;以及
在形成所述贯穿通路之后,粘附所述传感器至所述第一重布层。
8.根据权利要求7所述的方法,其中电连接该接触垫至该导电区进一步包括形成所述第二重布层以将该贯穿通路电连接至该接触垫。
9.根据权利要求6所述的方法,进一步包括在电连接所述接触垫至所述导电区之前,于保护层与多个凸块下金属上方形成所述第一重布层。
10.根据权利要求9所述的方法,进一步包括图案化该保护层,以暴露所述凸块下金属。
11.一种半导体装置,其包括:
传感器,其包括半导体衬底与延伸穿过所述半导体衬底的多个导电通路;
传感器表面材料,其粘附至所述传感器;
重布层,其电连接至所述导电通路并且位于所述传感器上与所述传感器表面材料对立的一侧;
囊封物,囊封所述传感器与所述传感器表面材料;以及
高电压裸片,其经由所述重布层电连接至所述传感器,以提供高电压至所述传感器,其中所述高电压裸片附接到所述重布层上与所述传感器对立的一侧,其中高电压为5V至50V。
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中所述传感器具有第一宽度,且所述传感器表面材料具有第二宽度,其大于所述第一宽度。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其中该传感器与该传感器表面材料系一第一封装的部分元件,所述第一封装具有一第三宽度,该第三宽度系大于该第二宽度。
14.根据权利要求12所述的半导体装置,其中该传感器与传感器表面材料系一第一封装的部分元件,所述第一封装具有该第二宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造