[发明专利]过驱动放大器以及半导体装置

权利要求书

1.一种过驱动放大器，其中，具有：

差动输入电路，具有向栅极供给输入信号的输入晶体管和向栅极反馈输出信号的反馈输入晶体管作为差动输入晶体管对；

电流镜负载，镜像输入电流路径连接于所述反馈输入晶体管的电流路径并且镜像输出电流路径连接于所述输入晶体管的电流路径；

输出电路，从所述电流镜负载的镜像输出电流路径输入输出控制信号；以及

过驱动电路，在过驱动期间使增强利用所述输出控制信号的所述输出电路的输出的方向的偏置电流基于所述输出控制信号流过所述电流镜负载。

2.根据权利要求1所述的过驱动放大器，其中，

所述输出电路具有在栅极接受所述输出控制信号的输出晶体管，

所述过驱动电路具有基于所述输出控制信号来控制互导的过驱动晶体管、以及与所述过驱动晶体管串联并在所述过驱动期间成为导通状态的开关晶体管，在所述开关晶体管的导通状态下使所述偏置电流在所述电流镜负载的镜像输入电流路径中流动。

3.根据权利要求2所述的过驱动放大器，其中，所述过驱动电路还包括与所述过驱动晶体管串联连接的偏置晶体管，所述偏置晶体管根据向栅极供给的偏置信号的电压来决定互导。

4.根据权利要求3所述的过驱动放大器，其中，

所述电流镜负载包括：在浮置电流源与高电位电源之间连接的pMOS电流镜电路、以及在所述浮置电流源与低电位电源之间连接的nMOS电流镜电路，

pMOS电流镜电路具有栅极被共同连接并且分别由p沟道型MOS晶体管构成的pMOS镜像输入晶体管和pMOS镜像输出晶体管，所述pMOS镜像输入晶体管的栅极/漏极间被连接，

nMOS电流镜电路具有栅极被共同连接并且分别由n沟道型MOS晶体管构成的nMOS镜像输入晶体管和nMOS镜像输出晶体管，所述nMOS镜像输入晶体管的栅极/漏极间被连接，

所述输出电路是由n沟道型MOS晶体管构成的nMOS输出晶体管被串联连接于由p沟道型MOS晶体管构成的pMOS输出晶体管的推挽式输出电路，所述nMOS输出晶体管的栅极连接于所述nMOS电流镜电路的所述nMOS镜像输出晶体管的漏极，所述pMOS输出晶体管的栅极连接于所述pMOS电流镜电路的所述pMOS镜像输出晶体管的漏极。

5.根据权利要求4所述的过驱动放大器，其中，

所述过驱动电路具有：在所述pMOS电流镜电路所包括的pMOS镜像输入晶体管的漏极和所述高电位电源之间连接的pMOS过驱动电路、以及在所述nMOS电流镜电路所包括的nMOS镜像输入晶体管的漏极和所述低电位电源之间连接的nMOS过驱动电路，

所述pMOS过驱动电路具有分别由p沟道型MOS晶体管形成的pMOS过驱动晶体管、pMOS开关晶体管、以及pMOS偏置晶体管作为所述过驱动晶体管、所述开关晶体管、以及偏置晶体管，

所述nMOS过驱动电路具有分别由n沟道型MOS晶体管形成的nMOS过驱动晶体管、nMOS开关晶体管、以及nMOS偏置晶体管作为所述过驱动晶体管、所述开关晶体管、以及偏置晶体管。

6.根据权利要求5所述的过驱动放大器，其中，

所述pMOS过驱动电路的所述pMOS开关晶体管向栅极输入过驱动控制信号的反相信号，

所述nMOS过驱动电路的所述nMOS开关晶体管向栅极输入所述过驱动控制信号。

7.根据权利要求5所述的过驱动放大器，其中，

所述pMOS过驱动电路的所述pMOS开关晶体管向栅极输入过驱动控制信号的反相信号与第一开关控制信号的“或”信号，

所述nMOS过驱动电路的所述nMOS开关晶体管向栅极输入所述过驱动控制信号与第二开关控制信号的“与”信号，

所述第一开关控制信号是与所述由p沟道型MOS晶体管构成的pMOS输出晶体管的栅极信号相比更早同步地变化的信号，

所述第二开关控制信号是与所述由n沟道型MOS晶体管构成的nMOS输出晶体管的栅极信号相比更早同步地变化的信号。