[发明专利]浮置栅极隔离件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，更具体地涉及浮置栅极隔离件及其制造方法。

背景技术

用于储存数据的存储器件通常划分为易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件在掉电时丢失存储的数据。另一方面，非易失性存储器件能够保留储存在其上的数据。

存在各种类型的非易失性存储器件，诸如只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。闪速存储器是EEPROM的一种。典型的闪速存储单元具有形成在衬底上的控制栅极和浮置栅极，其中控制栅极设置在浮置栅极上方并且通过隔离层与浮置栅极分隔开。可通过将电子从衬底注射至浮置栅极中来对闪速存储单元进行充电，并且浮置栅极能够保持电荷。可通过使电子隧穿来从浮置栅极去除电荷。

目前，常规的闪速存储器件和制造闪速存储器件的方法不是在所有方面都完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的隧穿氧化物层；设置在所述隧穿氧化物层上的浮置栅极；隔离层，所述隔离层覆盖所述浮置栅极的顶部并且在周边包围所述隧穿氧化物层和所述浮置栅极；以及设置在所述隔离层上方的控制栅极。

本发明的实施例还提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有由设置在所述衬底中的至少一个隔离结构限定的至少两个有源区；至少两个栅极结构，分别设置在所述有源区上，其中，所述栅极结构中的每个都包括：隧穿氧化物层，设置在所述有源区上和所述至少一个隔离结构的第一部分上；浮置栅极，设置在所述隧穿氧化物层上；和隔离层，覆盖所述浮置栅极的顶部并且在周边包围所述隧穿氧化物层和所述浮置栅极；以及控制栅极，在所述隔离层上和所述至少一个隔离结构的介于所述栅极结构之间的第二部分上延伸。

本发明的实施例还提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成至少一个隧穿氧化物层；在所述至少一个隧穿氧化物层上形成至少一个浮置栅极；形成至少一个隔离层，所述至少一个隔离层覆盖所述至少一个浮置栅极的顶部并且在周边包围所述至少一个隧穿氧化物层和所述至少一个浮置栅极；以及在所述至少一个隔离层的顶部上方形成控制栅极。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。

图1是根据各个实施例的半导体器件的截面示意图。

图2A是根据各个实施例的半导体器件的三维示意图，其中为了简洁省略了控制栅极。

图2B是根据各个实施例的半导体器件的三维示意图。

图2C是沿着图2B中示出的半导体器件的线A-A截取的截面示意图。

图2D是沿着图2B中示出的半导体器件的线B-B截取的截面示意图。

图3A至图3D是根据各个实施例的示出了用于制造半导体器件的方法的中间阶段的截面示意图。

图4是根据各个实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。以下描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括其中第一部件和第二部件以直接接触形成的实施例，并且也可以包括其中可以在第一部件和第二部件之间形成附加的部件，使得第一和第二部件可以不直接接触的实施例。

此处所使用的术语只用于描述具体的实施例，不用于限制附加权利要求。例如，除非另有限制，单一形式的术语“一”或“所述”也可以表示复数形式。诸如“第一”和“第二”的术语用于描述各种器件、区域和层等，但是这种术语仅用于区分一个器件、一个区域或一个层与另一器件、另一区域或另一层。因此，在不背离要求保护的主题的精神的情况下，第一区域可以称为第二区域，并且其余由此类推。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。如此处使用的，术语“和/或”包括一个或多个的有关的列出的物件的任何和全部组合。