[发明专利]基板加热装置及基板加热方法有效
申请号: | 201610945544.4 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN106971938B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 加藤茂;山谷谦一;升芳明 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 方法 | ||
本发明涉及一种基板加热装置及基板加热方法,缩短基板的加热所需要的工作时间。实施方式的基板加热装置包含:减压部,能够将涂布有用来形成聚酰亚胺的溶液的基板减压;第一加热部,能够以第一温度加热所述基板;以及第二加热部,能够以比所述第一温度更高的第二温度加热所述基板;且所述第二加热部与所述第一加热部分别独立地设置。
技术领域
本发明涉及一种基板加热装置及基板加热方法。
背景技术
近年来,作为电子装置用基板,有代替玻璃基板而使用具有可挠性的树脂基板的市场需求。例如,这种树脂基板使用聚酰亚胺膜。例如,聚酰亚胺膜是在对基板涂布聚酰亚胺的前驱物的溶液之后,经过加热所述基板的步骤(加热步骤)而形成。例如,作为聚酰亚胺的前驱物的溶液,有包含聚酰胺酸及溶剂的聚酰胺酸清漆(例如,参照专利文献1及专利文献2)。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2001-210632号公报
[专利文献2]国际公开第2009/104371号
发明内容
[发明要解决的问题]
另外,所述加热步骤包括:第一步骤,以相对低温使溶剂蒸发;以及第二步骤,以相对高温使聚酰胺酸硬化。因此,有将基板的加热温度从第一步骤的温度提高到第二步骤的温度期间需要长时间的担忧,在缩短基板的加热所需要的工作时间方面存在问题。
鉴于如上所述的情况,本发明的目的在于提供一种能够缩短基板的加热所需要的工作时间的基板加热装置及基板加热方法。
[解决问题的技术手段]
本发明的一形态的基板加热装置的特征在于包含:减压部,能够将涂布着用来形成聚酰亚胺的溶液的基板减压;第一加热部,能够以第一温度加热所述基板;及第二加热部,能够以比所述第一温度更高的第二温度加热所述基板;且所述第二加热部与所述第一加热部分别独立地设置。
根据该构成,第二加热部与第一加热部分别独立地设置,因此,能够将第二加热部的升温速率设为比第一加热部的升温速率更大,能够使基板温度在短时间内达到所需要的温度。例如,能够在使第一加热部接近基板之前(具体来说,在投入基板时),通过减压部将基板设为减压气体氛围,并在保持该减压气体氛围的状态下,一边利用第一加热部加热基板,一边进而利用第二加热部加热基板。另外,也能够在利用第一加热部加热基板期间,预先将第二加热部升温,而能够以第二温度加热基板。因此,无须考虑将基板的加热温度从第一温度提高到第二温度期间的时间。因此,能够缩短基板的加热所需要的工作时间。
在所述基板加热装置中,所述第二加热部的升温速率也可以比所述第一加热部的升温速率更大。
根据该构成,和第二加热部的升温速率为与第一加热部的升温速率同等以下的情况相比,能够在短时间内将第二加热部升温。因此,即便在第一温度与第二温度的差相对较大的情况下,也能够缩短将基板的加热温度提高到第二温度的期间的时间。
在所述基板加热装置中,所述第二加热部的降温速率也可以比所述第一加热部的降温速率更大。
根据该构成,和第二加热部的降温速率为与第一加热部的降温速率同等以下的情况相比,能够在短时间内将第二加热部降温。因此,即便在以第二温度加热基板之后将基板冷却的情况下,也能够缩短将基板的加热温度降低到冷却温度期间的时间。
在所述基板加热装置中,也可以还包含腔室,所述腔室能够收容所述基板、所述第一加热部及所述第二加热部。
根据该构成,能够在腔室内管理基板的加热温度,因此,能够有效地加热基板。
在所述基板加热装置中,所述基板、所述第一加热部及所述第二加热部也可以收容于共用的所述腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造