[发明专利]元件基板以及显示装置

说明书

本发明涉及一种元件基板以及显示装置，所述元件基板包括基板以及元件层。元件层配置于基板上，其中元件层包括多个主动元件，多个主动元件各包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极以及漏极。栅极配置于基板上。栅极绝缘层配置于基板上且覆盖于栅极上。金属氧化物半导体层配置于栅极绝缘层上。源极以及漏极配置于金属氧化物半导体层上，其中源极以及漏极各包括第一层及第二层，第一层介于第二层及金属氧化物半导体层之间，且第一层的材料包括氮化钛。借此使得在制造主动元件的过程中，钛原子不易扩散进入金属氧化物半导体层中。因而使得元件基板及显示装置具有良好的信赖性。

技术领域

本发明是有关于一种元件基板以及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管已广泛地应用在各种高阶显示装置中。由于市场快速竞争，显示装置的大小与显示色彩饱和度的需求快速增加，同时也增加对薄膜晶体管电性表现与稳定度的要求。金属氧化物(Metal oxide-based，MOSs)薄膜晶体管可在室温中制造，并且拥有良好的电流输出特性，较低的漏电流以及高于非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon thinfilm transistor，a-Si TFT)十倍以上的电子迁移率。因此，金属氧化物薄膜晶体管可分别降低显示装置的功率消耗与提升显示装置的操作频率，而成为取代传统的非晶硅薄膜晶体管的下个世代的主流驱动元件。

发明内容

本发明提供一种元件基板及显示装置，其具有良好的信赖性。

本发明的元件基板包括基板以及元件层。元件层配置于基板上，其中元件层包括多个主动元件，且多个主动元件各包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极以及漏极。栅极配置于基板上。栅极绝缘层配置于基板上且覆盖于栅极上。金属氧化物半导体层配置于栅极绝缘层上。源极以及漏极配置于金属氧化物半导体层上，其中源极以及漏极各包括第一层及第二层，第一层介于第二层及金属氧化物半导体层之间，且第一层的材料包括氮化钛。

本发明的显示装置包括元件基板、对向基板以及显示层。元件基板包括基板以及元件层。元件层配置于基板上，其中元件层包括多个主动元件，且多个主动元件各包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极以及漏极。栅极配置于基板上。栅极绝缘层配置于基板上且覆盖于栅极上。金属氧化物半导体层配置于栅极绝缘层上。源极以及漏极配置于金属氧化物半导体层上，其中源极以及漏极各自包括第一层及第二层，第一层介于第二层及金属氧化物半导体层之间，且第一层的材料包括氮化钛。对向基板配置于元件基板的对向。显示层位于元件基板与对向基板之间。

基于上述，在本发明的元件基板及显示装置中，通过主动元件包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极以及漏极，其中源极与漏极各自包括自金属氧化物半导体层起依序堆叠的第一层及第二层，且第一层的材质包括氮化钛，借此使得在制造主动元件的过程中，钛原子不易扩散进入金属氧化物半导体层中，因而元件基板及显示装置具有良好的信赖性。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的显示装置的局部剖面示意图。

图2是本发明的一实施方式的元件基板的局部上视示意图。

图3是本发明的一实施方式的对向基板的局部上视示意图。

图4是本发明的另一实施方式的元件基板的局部剖面示意图。

附图标号说明：

10：显示装置；

100、20：元件基板；

102、112：基板；

104：元件层；

105a、105b、205a、205b：第一层；