[发明专利]元件基板以及显示装置

权利要求书

1.一种元件基板，其特征在于，包括：

基板；以及

元件层，配置于所述基板上，其中所述元件层包括多个主动元件，所述多个主动元件各包括：

栅极，配置于所述基板上；

栅极绝缘层，配置于所述基板上且覆盖于所述栅极上；

金属氧化物半导体层，配置于所述栅极绝缘层上；以及

源极以及漏极，配置于所述金属氧化物半导体层上，

其中所述源极以及所述漏极各包括第一层及第二层，所述第一层介于所述第二层及所述金属氧化物半导体层之间，且所述第一层的材质包括氮化钛，

其中所述金属氧化物半导体层具有第一部分及第二部分，所述源极以及所述漏极覆盖所述第一部分，所述源极以及所述漏极未覆盖所述第二部分，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，且所述第一厚度与所述第二厚度的差异介于至

2.根据权利要求1所述的元件基板，其中所述氮化钛为TiN_x，其中x介于0.05至1.5。

3.根据权利要求1所述的元件基板，其中所述源极以及所述漏极还各包括第三层，所述第二层介于所述第一层与所述第三层之间，所述第二层的材质包括铝或铜至少其中之一，所述第三层的材质包括氮化钼、钼或钛至少其中之一。

4.一种显示装置，其特征在于，包括：

元件基板，包括基板以及元件层，所述元件层配置于所述基板上，其中所述元件层包括多个主动元件，所述多个主动元件各包括：

栅极，配置于所述基板上；

栅极绝缘层，配置于所述基板上且覆盖于所述栅极上；

金属氧化物半导体层，配置于所述栅极绝缘层上；

源极以及漏极，配置于所述金属氧化物半导体层上，其中所述源极以及所述漏极各包括第一层及第二层，所述第一层介于所述第二层及所述金属氧化物半导体层之间，且所述第一层的材质包括氮化钛，其中所述金属氧化物半导体层具有第一部分及第二部分，所述源极以及所述漏极覆盖所述第一部分，所述源极以及所述漏极未覆盖所述第二部分，所述第一部分具有第一厚度，所述第二部分具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，且所述第一厚度与所述第二厚度的差异介于至

所述显示装置还包括：

对向基板，相对于所述元件基板配置；以及

显示层，位于所述元件基板与所述对向基板之间。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述氮化钛为TiN_x，其中x介于0.05至1.5。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述元件基板的所述源极及所述漏极还各包括第三层，所述第二层介于所述第一层与所述第三层之间，所述第二层的材质包括铝或铜至少其中之一，所述第三层的材质包括氮化钼、钼或钛至少其中之一。