[发明专利]基于三维偏置印录存储器的三维封装

权利要求书

1.一种基于三维偏置印录存储器（3D-oP）的三维封装（3D²-oP），含有相互堆叠的第一和第二3D-oP芯片，其特征在于：

第一3D-oP芯片含有第一和第二数据录入膜，且该第二数据录入膜位于该第一数据录入膜上方，该第一数据录入膜存储第一数码阵列，该第二数据录入膜存储第二数码阵列；

第二3D-oP芯片含有第三和第四数据录入膜，且该第四数据录入膜位于该第三数据录入膜上方，该第三数据录入膜存储第三数码阵列，该第四数据录入膜存储第四数码阵列；

在同一批次的3D²-oP封装中，所有3D²-oP封装均含有同样一组数码阵列集合；至少两个3D²-oP封装的数码阵列序列不同。

2.根据权利要求1所述的三维封装，其特征还在于：该第一3D-oP芯片含有第一和第二存储层，且该第二存储层位于该第一存储层上方，该第一存储层含有该第一数据录入膜，该第二存储层含有该第二数据录入膜。

3.根据权利要求2所述的三维封装，其特征还在于含有：第一可设置输入电路，该第一可设置输出电路根据该第一3D-oP芯片中数码阵列序列设置该第一3D-oP芯片的输入。

4.根据权利要求1所述的三维封装，其特征还在于：该第二3D-oP芯片含有第三和第四存储层，且该第四存储层位于该第三存储层上方，该第三存储层含有该第三数据录入膜，该第四存储层含有该第四数据录入膜。

5.根据权利要求4所述的三维封装，其特征还在于含有：第二可设置输入电路，该第二可设置输出电路根据该第二3D-oP芯片中数码阵列序列设置该第二3D-oP芯片的输入。

6.根据权利要求1所述的三维封装，其特征还在于：该第一3D-oP芯片含有第一存储层，该第一存储层含有该第一和第二数据录入膜。

7.根据权利要求6所述的三维封装，其特征还在于含有：第一可设置输出电路，该第一可设置输出电路根据该第一3D-oP芯片中数码阵列序列设置该第一3D-oP芯片的输出。

8.根据权利要求1所述的三维封装，其特征还在于：该第二3D-oP芯片含有第二存储层，该第二存储层含有该第三和第四数据录入膜。

9.根据权利要求8所述的三维封装，其特征还在于含有：第二可设置输出电路，该第二可设置输出电路根据该第二3D-oP芯片中数码阵列序列设置该第二3D-oP芯片的输出。

10.根据权利要求1所述的三维封装，其特征还在于：所述数据录入膜中的数据图形由光刻法（photo-lithography）或压印法（imprint-lithography）形成。