[发明专利]半导体装置用接合线的卷线结构有效
| 申请号： | 201610915265.3 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107010480B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 三上道孝;前田菜那子;陈炜;伊藤杏奈 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | B65H55/04 | 分类号： | B65H55/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邵涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置用接合线的卷线结构，其特征在于：
由序列卷绕的前头卷绕部分、交叉多层卷绕的实卷绕部分及序列卷绕的尾端卷绕部分所构成的线轴上缠绕有接合线，
在所述实卷绕部分的两端形状所形成的至少一边斜边，所述的至少一边斜边有具有比由线轴端部延伸的下斜边的仰角更为急陡的仰角的中斜边或上斜边的突起部，在所述突起部接连波型的锯齿状层，并且所述上斜边的顶点的高度比所述锯齿状层的平均高度更高，
所述突起部构成为阶梯状。
2.如权利要求1所述的半导体装置用接合线的卷线结构，其特征在于，在所述实卷绕部分的两端均设有所述突起部。
3.如权利要求1所述的半导体装置用接合线的卷线结构，其特征在于，所述波型的锯齿状层的峰的数量设有7个～18个。
4.如权利要求1所述的半导体装置用接合线的卷线结构，其特征在于，所述接合线为银合金。
5.如权利要求1所述的半导体装置用接合线的卷线结构，其特征在于，所述接合线为贵金属被覆铜合金。
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