[发明专利]有机发光二极管面板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610909426.8 申请日: 2016-10-19
公开(公告)号: CN107968102A 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 王俊富 申请(专利权)人: 敦泰电子股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;G09G3/3225
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 郭晓宇
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 面板 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明关于一种有机发光二极管的技术,更进一步来说,本发明关于一种有机发光二极管面板及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管,传统的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)元件,其内部所蒸镀的有机材料层是采用垂直堆叠的结构。如图1所示,图1为先前技术的有机发光二极管元件的结构图。请参考图1,此有机发光二极管元件包括一玻璃基底100、一阳极层101、电洞注入层102、一电洞传输层103、一有机发光材料层104、一电子传输层105与一电子注入层106以及一阴极层107。图1上还标注了这些层的厚度。

此先前技术中,存在了下列缺点:

(1)因为所有的有机材料厚度相当薄,约阳极与阴极之间容易短路,造成有机发光二极管显示器有点缺陷、异常大电流及生产良品率降低等问题。

(2)若做成底部发光(Bottom Emission)结构,受限于薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的玻璃基板的开口率低,有亮度不足问题。

(3)若做成顶部发光(Top Emission)必须找到阴极的材料要有高透明度及高导电度的限制。又,阴极材料一般是金属,若做的太薄,造成阻抗过高,若做的过厚,造成发光效率不高。

图2为先前技术的白光有机发光二极管元件的结构图。请参考图2,标号201是白光有机发光二极管元件的等效电路图。在先前技术中,白光有机发光二极管元件利用红色、绿色、蓝色三个颜色的有机发光二极管元件垂直堆叠在一起。由于三个有机发光二极管201串联,因此,在应用时,所须的外加电压也必须跟着提高数倍。

另外,现今的有机发光二极管材料的发光效率取决于流经发光材料层的大小,但是,往往不同颜色的发光材料层的材料最佳的发光效率所需的电流大小也不同,采用串联结构(垂直堆叠)流经每层的电流大小是相同的,很难取得一个电流值是适用于所有颜色的最佳发光效率。故容易导致白光色偏。再者,在制造传统串联式有机发光二极管时,必须将所有有机材料一层一层的蒸镀上去,如此,制造成本将随堆叠层数增加而跟着提高。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种有机发光二极管面板及其制造方法,用以改变现有有机发光二极管的架构,达到发光效率高、提升生产良品率,且减低电路复杂度等。

有鉴于此,本发明提供一种有机发光二极管面板,此有机发光二极管面板包括至少一像素。此像素包括一阳极层、一第一绝缘层(insulator)、第二绝缘层、一阴极层、一电洞注入层(Hole Injection Layer,HIL)、一电洞传输层(Hole Transport Layer,HTL)、一电子注入层(Electron Injection Layer,EIL)、一电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)、一发光材料层(Emission Layer,EML)以及一透明导电层。阳极层配置于透明基板上。第一绝缘层配置于阳极层上。阴极层配置于第一绝缘层上。第二绝缘层配置于阳极层上,第二绝缘层具有第一凹坑以及第二凹坑,其中,第二凹坑的底部为阴极层,其中,第一凹坑的底部为阳极层。电洞注入层配置于第一凹坑内,且配置于阳极层上。电洞传输层配置于第一凹坑内,且配置于电洞注入层上。电子注入层配置于第二凹坑内,且配置于阴极层上。电子传输层配置于第二凹坑内,且配置于电子注入层上。发光材料层配置于第二绝缘层上。透明导电层配置于发光材料层上,其中,阴极层、阳极层以及透明导电层构成三端点有机发光二极管。

依照本发明较佳实施例所述的有机发光二极管面板,上述像素更包括一薄绝缘层,配置于透明导电层与发光材料层之间,使其运作较为接近金属氧化物半导体场效应晶体管。在更进一步实施例,此像素更包括一薄膜晶体管以及一电容。此薄膜晶体管的栅极耦接一扫描线,薄膜晶体管的第一源漏极耦接一数据线,薄膜晶体管的第二源漏极耦接该透明导电层。电容的第一端耦接薄膜晶体管的第二源漏极,电容的第二端耦接一共接电压。故此面板可作为主动矩阵有机发光二极管显示面板。

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