[发明专利]CMOS图像传感器结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201610907196.1 申请日: 2016-10-19
公开(公告)号: CN106653782A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 蔡伯宗;周俊豪;蔡宗翰;李国政;许永隆;郑允玮 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: cmos 图像传感器 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种CMOS图像传感器结构,包括:

衬底;以及

多个像素部分,设置为在所述衬底上彼此邻近,其中,每一个像素部分都包括多个交叉区域、多个边界区域和中心区域,每一个边界区域都位于多个交叉区域中的任两个相邻的交叉区域之间,并且所述中心区域被所述交叉区域和所述边界区域围绕,其中,所述每一个像素部分都包括:

器件层,在所述衬底上设置在所述交叉区域、所述边界区域和所述中心区域中,其中,多个沟槽形成在所述器件层和所述衬底中以分别对应于所述边界区域;

抗反射涂层,共形地覆盖所述器件层、所述衬底和所述沟槽;

多个分立的反射结构,分别设置在所述沟槽中的抗反射涂层上;

多个分立的金属阻挡结构,在所述交叉区域中分别位于所述抗反射涂层上面;

钝化层,共形地覆盖所述金属阻挡结构、所述抗反射涂层和所述反射结构;和

滤色器,在所述交叉区域、所述边界区域和所述中心区域中设置在所述钝化层上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610907196.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top