[发明专利]基板清洗装置以及基板清洗方法

说明书

本发明提供基板清洗装置以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。

本申请是申请号为201310334657.7，申请日为2013年8月2日，发明创造名称为“基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及基板清洗装置以及基板清洗方法。

背景技术

以往，公知有用于将附着于硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板的微粒去除的基板清洗装置。

作为这种基板清洗装置，存在利用向基板的表面供给液体、气体等流体而产生的物理力来去除微粒的基板清洗装置(参照专利文献1)。另外，还公知有向基板的表面供给SC1等药液而利用供给的药液所具有的化学作用(例如，蚀刻作用)来去除微粒的基板清洗装置(参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开平8－318181号公报

专利文献2：日本特开2007－258462号公报

然而，如果采用如专利文献1所记载的技术那样利用物理力来去除微粒的方法，则有可能使形成于基板的表面的图案在物理力的作用下发生倒塌(日文：倒壊)。

另外，如果采用如专利文献2所记载的技术那样利用药液的化学作用来去除微粒的方法，则例如有可能基板的基底膜因蚀刻作用等而被侵蚀。

发明内容

实施方式的一技术方案的目的在于提供能够在抑制图案塌陷(日文：パターン倒れ)、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除的基板清洗装置、基板清洗系统以及基板清洗方法。

实施方式的一技术方案的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供给部用于对被第1液供给部供给到基板上的、因挥发成分挥发而在基板上硬化了的处理液供给用于将处理液全部去除的去除液。

采用实施方式的一技术方案，能够在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。

附图说明

图1是表示第1实施方式的基板清洗系统的概略结构的示意图。

图2A是基板清洗方法的说明图。

图2B是基板清洗方法的说明图。

图2C是基板清洗方法的说明图。

图3是表示第1实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。

图4是表示基板清洗装置所执行的基板清洗处理的处理步骤的流程图。

图5A是基板清洗装置的动作说明图。

图5B是基板清洗装置的动作说明图。

图5C是基板清洗装置的动作说明图。

图5D是基板清洗装置的动作说明图。

图5E是基板清洗装置的动作说明图。

图5F是基板清洗装置的动作说明图。

图6是表示第2实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。

图7是表示第3实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。

图8是第3实施方式的基板清洗装置的动作说明图。