[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201610855822.7 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN106653763B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 简守甫;孙丽娜;王一明 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/10;G02F1/1362;H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板包括:基板;形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线,所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元;所述像素单元包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接,源极与所述数据线电连接,漏极与所述像素单元的像素电极电连接;所述薄膜晶体管的沟道区的有效长度大于或者等于所述像素单元沿所述扫描线延伸方向长度的三分之一。本发明实施例降低了显示面板的漏电流,提升了显示面板在低频驱动时的显示效果。
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示产品的显示效果不断地得到改善,从而使液晶显示产品的应用越来越广泛。
显示产品的功耗与显示驱动频率成正比,为降低产品的功耗需要降低显示驱动频率。然而,目前的显示产品在降低驱动频率后,由于漏电流的存在,在保持阶段,像素电极电压不断减小,显示画面容易出现闪烁,影响显示效果。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,以降低显示面板的漏电流,实现显示面板的低频驱动,并提升低频驱动下的显示效果。
本发明实施例的一方面提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括:
基板;
形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线,所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元;
所述像素单元包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接,源极与所述数据线电连接,漏极与所述像素单元的像素电极电连接;所述薄膜晶体管的沟道区的有效长度大于或者等于所述像素单元沿所述扫描线延伸方向长度的三分之一。
本发明实施例的另一方面还提供了一种显示面板,所述显示面板包括本发明任意实施例所述的阵列基板。
本发明实施例的又一方面还提供了一种显示装置,所述显示装置包括本发明任意实施例所述的显示面板。
本发明实施例通过设置薄膜晶体管的沟道区的有效长度大于或者等于像素单元沿扫描线延伸方向长度的三分之一,增大了薄膜晶体管的阻值,而薄膜晶体管两端的压差一定,从而降低了薄膜晶体管中的漏电流,使得像素电极电压变化减小,使得显示面板能够在低频率驱动的条件下避免漏电流过大引起的闪烁问题,从而实现了显示面板的低频驱动,节省了显示面板的功耗。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一帧画面内像素电极电压变化示意图;
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的示意图;
图3是图2中阵列基板沿剖面线E-E的剖面图;
图4是本发明实施例提供的又一种阵列基板的示意图;
图5是本发明实施例提供的又一种阵列基板的示意图;
图6是本发明实施例提供的又一种阵列基板的示意图;
图7是图6中阵列基板沿剖面线F-F的剖面图;
图8是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图;
图9是本发明实施例提供的一种显示面板的透视图;
图10是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610855822.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:非易失性存储器及其制造方法
- 下一篇:图像传感器及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的