[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201610855822.7 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN106653763B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 简守甫;孙丽娜;王一明 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/10;G02F1/1362;H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
形成在所述基板上的多条扫描线和多条数据线,所述多条扫描线和所述多条数据线绝缘交叉限定多个像素单元;
所述像素单元包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接,源极与所述数据线电连接,漏极与所述像素单元的像素电极电连接;所述薄膜晶体管的沟道区的有效长度大于或者等于所述像素单元沿所述扫描线延伸方向长度的三分之一;与所述薄膜晶体管的源极电连接的数据线和所述薄膜晶体管的漏极之间至少间隔一条所述数据线。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,与所述薄膜晶体管的漏极相邻的两条数据线中,到与所述薄膜晶体管的源极电连接的所述数据线距离较近的为第一数据线,另一条为第二数据线,所述薄膜晶体管的漏极到所述第一数据线的距离大于到所述第二数据线的距离。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的源极和与所述薄膜晶体管的漏极相邻的所述数据线之一电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的漏极到与所述薄膜晶体管的源极电连接的所述数据线的距离大于到另一条与所述薄膜晶体管的漏极相邻的所述数据线的距离。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的沟道区的有效长度大于所述薄膜晶体管的源极与漏极沿所述扫描线延伸方向的距离。
6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的沟道区在所述基板上的投影具有多个弯折部。
7.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管的源极与漏极之间在沿所述数据线延伸的方向上至少间隔一条所述扫描线。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为顶栅结构,所述薄膜晶体管的沟道区位于所述栅极朝向所述基板的一侧。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括遮光层,所述遮光层位于所述薄膜晶体管的沟道区朝向所述基板的一侧,所述遮光层在所述基板上的垂直投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述基板上的垂直投影。
11.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,还包括:
与所述阵列基板相对设置的彩膜基板;
所述彩膜基板上设置有黑矩阵,所述薄膜晶体管在所述彩膜基板的垂直投影位于所述黑矩阵内。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板的画面刷新频率范围为0.5Hz-45Hz。
14.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求11-13任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的