[发明专利]半导体激光谐振器以及包括其的半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光谐振器，配置为产生激光束，所述半导体激光谐振器包括：

增益介质层，包括半导体材料且包括由至少一个沟槽形成的至少一个突起以在所述增益介质层的上部中突出；

第一接触层，设置在所述增益介质层的第一表面上，其中所述至少一个沟槽延伸到所述第一接触层；

第二接触层，设置在所述增益介质层的第二表面上；以及

提供在所述增益介质层之外的金属层，所述金属层配置为限制从所述增益介质层产生的激光束，其中所述金属层提供为覆盖所述增益介质层的侧表面和所述第一接触层，

其中所述至少一个突起配置为将所述激光束限制为在所述至少一个突起中的驻波，

其中所述至少一个沟槽关于所述增益介质层的中心对称地形成且彼此连接。

2.如权利要求1所述的半导体激光谐振器，还包括提供在所述增益介质层和所述金属层之间的缓冲层，所述缓冲层配置为减轻从所述增益介质层产生的激光束的光学损耗。

3.如权利要求1所述的半导体激光谐振器，还包括提供在所述增益介质层之外的介电层，所述介电层配置为限制从所述增益介质层产生的激光束且使其折射率与所述增益介质层的折射率不同。

4.如权利要求1所述的半导体激光谐振器，其中所述增益介质层的下部配置为进一步将所述激光束限制在其中。

5.如权利要求1所述的半导体激光谐振器，其中所述增益介质层为圆柱形状或矩形形状。

6.如权利要求1所述的半导体激光谐振器，其中所述沟槽具有选自线形状、圆形形状、多边形形状和环形形状的至少一个平面形状。

7.如权利要求1所述的半导体激光谐振器，其中所述至少一个突起包括沿着所述增益介质层的外边缘设置的至少一个第一突起。

8.如权利要求7所述的半导体激光谐振器，其中所述至少一个突起还包括从所述至少一个第一突起向内设置的至少一个第二突起。

9.如权利要求1所述的半导体激光谐振器，其中所述增益介质层包括有源层。

10.如权利要求9所述的半导体激光谐振器，其中所述有源层包括III-V族半导体材料、II-VI族半导体材料和量子点的至少一个。

11.如权利要求9所述的半导体激光谐振器，其中所述增益介质层还包括设置在所述有源层的第一表面上的第一外覆层和设置在所述有源层的第二表面上的第二外覆层。

12.如权利要求1所述的半导体激光谐振器，其中所述第一接触层对应于所述至少一个突起。

13.如权利要求1所述的半导体激光谐振器，其中所述第一接触层和所述第二接触层具有与所述增益介质层的形状对应的形状。

14.一种半导体激光装置，包括：

基板；以及

半导体激光谐振器，提供在所述基板上且配置为通过吸收能量产生激光束，

其中所述半导体激光谐振器包括：

增益介质层，所述增益介质层包括半导体材料且包括由至少一个沟槽形成的至少一个突起以在所述增益介质层的上部中突出；

第一接触层，设置在所述增益介质层的第一表面上，其中所述至少一个沟槽延伸到所述第一接触层；

第二接触层，设置在所述增益介质层的第二表面上；以及

提供在所述增益介质层之外的金属层，所述金属层配置为限制从所述增益介质层产生的激光束，其中所述金属层提供为覆盖所述增益介质层的侧表面和所述第一接触层，

其中所述至少一个突起配置为将所述激光束限制为在所述至少一个突起中的驻波，

其中所述至少一个沟槽关于所述增益介质层的中心对称地形成且彼此连接。