[发明专利]ESD保护集成电路以及ESD检测电路

权利要求书

1.一种静电放电ESD保护集成电路，包括:

功能电路，耦接到第一电源电压和第二电源电压，所述功能电路包括至少一个功能封装球；以及

ESD检测电路，耦接到所述第二电源电压，所述ESD检测电路不耦接到所述第一电源电压并且不耦接到所述功能电路的所述至少一个功能封装球。

2.根据权利要求1所述的ESD保护集成电路，其特征在于，所述第一电源电压高于所述第二电源电压。

3.根据权利要求1所述的ESD保护集成电路，其特征在于，所述ESD检测电路包括至少一个ESD封装球，所述ESD检测电路的所述ESD封装球不耦接到所述功能电路的所述功能封装球。

4.根据权利要求1所述的ESD保护集成电路，其特征在于，正常情况下，所述ESD检测电路的等效电阻高于电阻阈值，并且所述ESD检测电路处于与ESD合格相关的开启状态。

5.根据权利要求1所述的ESD保护集成电路，其特征在于，

当ESD应激事件发生时，所述ESD检测电路对所述ESD应激事件放电；以及

当所述ESD应激事件高于所述ESD检测电路的ESD保护阈值时，所述ESD检测电路损坏，并且所述ESD检测电路处于与ESD失效相关的短路状态。

6.根据权利要求1所述的ESD保护集成电路，其特征在于，所述ESD检测电路包括：

并行连接的多个放电路径，耦接到所述ESD封装球和所述第二电源电压之间，用于对ESD应激事件放电，所述多个放电路径具有彼此不同的放电电流；以及

ESD指示电路，耦接到所述ESD封装球和所述第二电源电压之间，所述ESD指示电路处于与ESD合格相关的开启状态或者处于与ESD失效相关的短路状态。

7.根据权利要求1所述的ESD保护集成电路，其特征在于，所述ESD检测电路包括：

并行连接的多个放电路径，耦接到所述ESD封装球和所述第二电源电压之间，用于对ESD应激事件放电，所述多个放电路径具有彼此不同的放电电流。

8.根据权利要求1所述的ESD保护集成电路，其特征在于，所述ESD检测电路包括：

ESD指示电路，耦接到所述ESD封装球和所述第二电源电压之间，所述ESD指示电路处于与ESD合格相关的开启状态或者处于与ESD失效相关的短路状态。

9.一种静电放电ESD检测电路，用于ESD保护集成电路中，所述ESD保护集成电路包括具有至少一个功能封装球并且耦接到第一电源电压和第二电源电压的功能电路，所述ESD检测电路包括：

至少一个ESD封装球，所述ESD检测电路的所述ESD封装球不耦接到所述功能电路的所述功能封装球并且不耦接到所述第一电源电压；

并行连接的多个放电路径，耦接到所述ESD封装球和所述第二电源电压之间，用于对ESD应激事件放电，所述多个放电路径具有彼此不同的放电电流；以及

ESD指示电路，耦接到所述ESD封装球和所述第二电源电压之间，所述ESD指示电路处于与ESD合格相关的开启状态或者处于与ESD失效相关的短路状态。

10.根据权利要求9所述的ESD检测电路，其特征在于，所述第一电源电压高于所述第二电源电压。

11.根据权利要求9所述的ESD检测电路，其特征在于，正常情况下，所述ESD指示电路的等效电阻高于电阻阈值，并且所述ESD检测电路处于与ESD合格相关的开启状态。

12.根据权利要求9所述的ESD检测电路，其特征在于，

当所述ESD应激事件发生时，所述并行连接的多个放电路径对所述ESD应激事件放电；以及

当所述ESD应激事件高于所述ESD检测电路的ESD保护阈值时，所述ESD指示电路损坏并且处于与ESD失效相关的短路状态。

13.根据权利要求9所述的ESD检测电路，其特征在于，并行连接的每个放电路径包括耦接在所述ESD封装球和所述第二电源电压之间的至少一个二极管。

14.根据权利要求9所述的ESD检测电路，其特征在于，所述ESD指示电路包括耦接到所述ESD封装球和所述第二电源电压之间的晶体管，当比所述ESD检测电路的ESD保护阈值高的ESD应激事件发生时，所述晶体管损坏。

15.根据权利要求9所述的ESD检测电路，其特征在于，所述ESD指示电路包括耦接到所述ESD封装球和所述第二电源电压的至少两个晶体管，当比所述ESD检测电路的ESD保护阈值高的ESD应激事件发生时，所述至少两个晶体管漏-源极短路。