[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法。所述薄膜晶体管基板包括：第二电极，所述第二电极在共享接触孔内连接至第一电极；和第四电极，所述第四电极在所述共享接触孔内连接至第三电极，其中所述共享接触孔穿透多个堆叠的绝缘层，并且其中位于所述第一电极与所述第二电极的连接部以及所述第三电极与所述第四电极的连接部中的至少一个连接部下方的绝缘层在所述共享接触孔内具有底切结构。

技术领域

本公开内容涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板及其制造方法，且更具体地，涉及一种消除了当在液晶显示器(LCD)中实现高分辨率时由单个像素的尺寸减小导致的开口率劣化的TFT基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)通过利用电场调整液晶的透光率来显示图像。LCD根据驱动液晶的电场的方向而被划分为垂直取向(VA)LCD和面内切换(IPS)LCD。

在VA LCD中，形成于上基板上的公共电极和形成于下基板上的像素电极被设置成面向彼此，且扭曲向列(TN)模式液晶由在公共电极与像素电极之间形成的垂直场驱动。VALCD有利地具有较大开口率，但不利的是具有约90度的窄视角。

在IPS LCD中，液晶由位于下基板上的设置成彼此平行的像素电极和公共电极之间的面内场以IPS模式被驱动。IPS LCD有利地具有宽视角，但不利的是具有比VA LCD的开口率小的开口率。

图1是图解根据相关技术的TFT基板的结构的平面图。图2是图1中所示的TFT基板沿线I-I’截取的截面图。

参照图1和图2，相关技术的TFT基板包括位于透明下基板SUB上的彼此交叉的栅极线GL和数据线DL。彼此交叉的栅极线GL和数据线DL与插入两者之间的栅极绝缘层GI限定呈矩阵布置的像素区域。在像素区域的一侧上，设置有TFT T，TFT T包括从栅极线GL分支出来的栅极电极G、从数据线DL分支出来的源极电极S以及设置成与源极电极S以预定间隔隔开且面向源极电极S的漏极电极D。

与栅极电极G交叠的半导体层A形成于栅极绝缘层GI上并覆盖栅极电极G。半导体层A的一侧与源极电极S接触，且半导体层A的另一侧与漏极电极D接触。

用于保护元件的第一绝缘层PAS和用于平坦化的第二绝缘层PAC依次形成于TFT T上。由导电材料形成的像素电极PXL和公共电极COM形成于第二绝缘层PAC上。

像素电极PXL经由穿透第二绝缘层PAC的像素接触孔PH与漏极电极D接触。此外，像素电极PXL具有梳齿结构，其中多个线段形状在像素区域内以预定的间隔平行布置。

公共电极COM连接至与栅极线GL平行设置的公共线CL。公共线CL与栅极线GL形成于同一层上且由与栅极线GL相同的材料形成。公共电极COM经由穿透第一绝缘层PAS、第二绝缘层PAC和栅极绝缘层GI的公共接触孔CH连接至公共线CL。

与下基板SUB的表面方向水平的面内场形成于像素电极PXL和公共电极COM之间，以驱动设置在下基板SUB上的液晶层。像素电极PXL的一部分被设置成与公共线CL交叠，在它们之间插入有栅极绝缘层GI、第一绝缘层PAS和/或第二绝缘层PAC。存储电容器形成于交叠区域中。

为了电连接形成于相互不同的层上的线路和/或电极并施加相同的信号，形成穿透插入于电极之间的绝缘层的接触孔。也就是说，如上面提到的，像素接触孔PH形成为将像素电极PXL与漏极电极D电连接，公共接触孔CH形成为将公共电极COM与公共线CL电连接。

接触孔PH和CH的每一个需要被设计成具有足够的区域，以防止将要电连接的线路和/或电极D、PXL、CL和COM接触不良。随着绝缘层PAS、PAC及GI变厚，穿透它们的接触孔PH和CH的区域增加。此外，当设置多个接触孔PH和CH时，接触孔PH和CH之间需要工艺余量。