[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置在不同的层中并且其间插入有多个堆叠的绝缘层中的至少一个绝缘层，

第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极设置在不同的层中并且其间插入有所述多个堆叠的绝缘层中的至少一个绝缘层，

其中所述第二电极在共享接触孔内连接至所述第一电极，

其中所述第四电极在所述共享接触孔内连接至所述第三电极，

其中所述共享接触孔穿透所述多个堆叠的绝缘层，并且

其中位于所述第一电极与所述第二电极的连接部以及所述第三电极与所述第四电极的连接部中的至少一个连接部下方的绝缘层在所述共享接触孔内具有底切结构。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中

第一信号被施加至彼此接触的所述第一电极和所述第二电极，

第二信号被施加至彼此接触的所述第三电极和所述第四电极，并且

所述第一信号和所述第二信号是不同的信号。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

像素区域，在所述像素区域中设置有像素电极和公共电极，所述像素电极连接至薄膜晶体管，所述公共电极通过公共线被施加公共电压，

其中

所述第一电极是像素电极，

所述第二电极是所述薄膜晶体管的漏极电极，

所述第三电极是所述公共线，并且

所述第四电极是所述公共电极。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

第一像素区域，在所述第一像素区域中设置有连接至第一薄膜晶体管的第一像素电极，

第二像素区域，在所述第二像素区域中设置有连接至第二薄膜晶体管的第二像素电极，和

公共电极，所述公共电极连接至所述第一像素区域和所述第二像素区域并将公共电压提供至所述第一像素区域和所述第二像素区域，

其中

所述第一电极是所述第一像素电极，

所述第二电极是所述第一薄膜晶体管的漏极电极，

所述第三电极是所述第二像素电极，并且

所述第四电极是所述第二薄膜晶体管的漏极电极。

5.一种用于制造薄膜晶体管基板的方法，所述方法包括：

在基板上形成栅极电极和公共线；

在所述栅极电极和所述公共线上形成栅极绝缘层；

在所述栅极电极和所述公共线上形成半导体层；

形成与所述半导体层的一侧接触的源极电极和与所述半导体层的另一侧接触的漏极电极；

在所述源极电极和所述漏极电极上形成第一绝缘层和第二绝缘层；

形成穿透所述栅极绝缘层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的共享接触孔以暴露所述公共线的一部分和所述漏极电极的一部分，并在所述栅极绝缘层的一端处产生底切；和

通过在所述第二绝缘层上涂敷金属材料并图案化所述金属材料而形成在所述共享接触孔内连接至所述公共线的公共电极和连接至所述漏极电极的像素电极。